一种陶瓷盖板制备工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110550951A(43)申请公布日2019.12.10(21)申请号201910759929.5(22)申请日2019.08.16(71)申请人泰州市光明电子材料有限公司地址225327江苏省泰州市高港区永安洲镇民富路6号(72)发明人包信海包信章祝莉(51)Int.Cl.C04B35/488(2006.01)C04B35/64(2006.01)B28B3/00(2006.01)B28B13/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种陶瓷盖板制备工艺(57)摘要本发明提供了一种陶瓷盖板制备工艺，包括如下步骤：装配；冷等静压；脱模；第一次烧结，将装有所述预烧坯体的坩埚置于烧结炉内进行烧结，烧结温度850-900℃，升温速度5~8℃/min，保温8-9h，得第一陶瓷坯体；加工，对第一陶瓷坯体进行机械加工控制尺寸精度，得第二陶瓷坯体；第二次烧结，将装有第二陶瓷坯体的坩埚置于烧结炉内，烧结温度1200-1350℃，升温速度5~8℃/min，保温8-9h，得所述陶瓷盖板成品。所述陶瓷盖板制备工艺采用二次烧结工艺，可使用常规的加工设备对陶瓷坯体进行加工，以得净尺寸的陶瓷盖板产品，提高产品尺寸精度，且陶瓷坯体的制成率与注浆成型相比大大提高。CN110550951ACN110550951A权利要求书1/1页1.一种陶瓷盖板制备工艺，包括如下步骤：装配，将陶瓷粉装入模具内并密封；冷等静压，将装配好的模具置于静压机中等静压加工；脱模，将等静压加工后的模具进行脱模，得预烧坯体，并将所述预烧坯体置于坩埚内；其特征在于，还包括以下步骤：第一次烧结，将装有所述预烧坯体的坩埚置于烧结炉内进行烧结，烧结温度850-900℃，升温速度5~8℃/min，保温8-9h，得第一陶瓷坯体；加工，对第一陶瓷坯体进行机械加工控制尺寸精度，得第二陶瓷坯体；第二次烧结，将装有第二陶瓷坯体的坩埚置于烧结炉内，烧结温度1200-1350℃，升温速度5~8℃/min，保温8-9h，得所述陶瓷盖板成品。2.根据权利要求1所述的陶瓷盖板制备工艺，其特征在于，还包括步骤：抛光，对所述第二次烧结后的所述陶瓷盖板进行抛光处理，用于降低所述陶瓷盖板表面的粗糙度。3.根据权利要求2所述的陶瓷盖板制备工艺，其特征在于，所述陶瓷盖板的粗糙度为Ra为0.1-1.6um。4.根据权利要求3所述的陶瓷盖板制备工艺，其特征在于，所述陶瓷粉为3mol%Y2O3掺杂四方氧化锆粉体，所述四方氧化锆粉体粒度为30-1000nm、比表面积30-60m2/g。5.根据权利要求4所述的陶瓷盖板制备工艺，其特征在于，所述装配过程采用丁腈橡胶模具，所述模具具有一加料口，所述加料口用模具盖开启和关闭。6.根据权利要求5所述的陶瓷盖板制备工艺，其特征在于，加料方式采用震动加料法，加料完毕后将加料口关闭，用缠绕膜裹敷在所述模具的外表面达到所述模具密封目的。7.根据权利要求6所述的陶瓷盖板制备工艺，其特征在于，所述冷等静压成型压力130-260MPa，保压时间30-120s。2CN110550951A说明书1/5页一种陶瓷盖板制备工艺技术领域[0001]本发明涉及金属陶瓷技术领域，具体涉及一种陶瓷盖板制备工艺。背景技术[0002]高频微波技术在通信、导航、卫星、蓝牙、传感物联网射频技术等系统中，有着广泛的应用。射频/微波器件的封装设计既可以保护器件同时也可能会影响器件的性能。因此封装一定要能提供优异的电学性能、器件的保护功能和屏蔽作用等等。高性能射频微波器件通常采用陶瓷封装材料，陶瓷材料的介电性能在较宽的温度和频率范围之内都很稳定，且能承受很高的加工温度和工作温度，机械性能优异，能提供较好的防潮湿功能和优异的气密性。随着微波器件向小型化、精密化的方向发展，微波器件封装对陶瓷密封性要求逐渐升高，因此对陶瓷盖板的尺寸精度要求极高，现有的陶瓷封装技术已经不能满足成型的尺寸精度。[0003]公告号为CN106116536A的发明专利具体公开了一种陶瓷盖板制备工艺，包括以下步骤：称重：按配比分别称取固体原料；球磨：将固体原料混合均匀后进行球磨；混料：将球磨后的混合粉料与有机溶剂按重量比为1:1-3的配比混合成浆料；成型：将浆料分别注射到陶瓷盖板模具和陶瓷基座模具中成型，得到陶瓷盖板坯体和陶瓷基座坯体；装配：在陶瓷基座坯体上覆盖一层隔粘粉后，再装配陶瓷盖板坯体与陶瓷基座坯体；烧结：将装配好的陶瓷盖板坯体与陶瓷基座坯体一同放入烧结炉中，在1300-1600℃中烧结5-20小时，得到陶瓷盖板和陶瓷基座；对陶瓷盖板去毛刺，得到产品。采用本发明，可使烧结过程中产品不易变形，提高产品的成品率，降低生产成本，提高产品尺寸精度。[0004]上述专