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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110562971A(43)申请公布日2019.12.13(21)申请号201910856006.1(22)申请日2019.09.11(71)申请人世星科技股份有限公司地址214000江苏省无锡市锡山区鹅湖镇工业园区柏桥路88号(72)发明人杨文斌吴永飞陈夫忠陈浩王亚东(74)专利代理机构苏州通途佳捷专利代理事务所(普通合伙)32367代理人李阳(51)Int.Cl.C01B32/205(2017.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称超薄高导热石墨膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种超薄高导热石墨膜的制备方法,涉及一种石墨膜制造领域,超薄高导热石墨膜的制备方法,包括如下步骤:步骤一:将双胺化合物与双酐化合物进行化学反应得到聚酰胺酸;步骤二:将得到的聚酰胺酸放在碳化炉中先后进行亚胺化和真空碳化制程处理得到PI膜碳化产物,将PI膜碳化产物进行收卷;步骤三:将收卷后的PI膜碳化产物移动到石墨化炉内放卷进行热处理石墨化发泡得到PI膜石墨化产物,然后将PI膜石墨化产物进行收卷;步骤四:将收卷后的PI膜石墨化产物移动到压延机处放卷经过高压压辊表面进行压延得到超薄高导热石墨膜,然后将得到的超薄高导热石墨膜进行收卷,本发明中的亚胺化-碳化一体化生产,可以实现薄膜卷材连续式生产。CN110562971ACN110562971A权利要求书1/1页1.超薄高导热石墨膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤一:将双胺化合物与双酐化合物进行化学反应得到聚酰胺酸;步骤二:将得到的聚酰胺酸放在碳化炉中先后进行亚胺化和真空碳化制程处理得到PI膜碳化产物,将PI膜碳化产物进行收卷;步骤三:将收卷后的PI膜碳化产物移动到石墨化炉内放卷进行热处理石墨化发泡得到PI膜石墨化产物,将PI膜石墨化产物进行收卷;步骤四:将收卷后的PI膜石墨化产物移动到压延机处放卷经过高压压辊表面进行压延得到超薄高导热石墨膜,然后将得到的超薄高导热石墨膜进行收卷。2.如权利要求1所述的超薄高导热石墨膜的制备方法,其特征在于:所述步骤二中的碳化炉中设置有两个温度区,分别为亚胺化温度区和碳化制程处理温度区。3.如权利要求2所述的超薄高导热石墨膜的制备方法,其特征在于:所述亚胺化温度区内的温度是25~400℃,亚胺化的时间为1-3min。4.如权利要求2所述的超薄高导热石墨膜的制备方法,其特征在于:所述碳化制程处理温度区内的温度是25~1300℃,碳化的时间为3-5min,所述碳化制程处理是在真空环境下进行的。5.如权利要求1所述的超薄高导热石墨膜的制备方法,其特征在于:所述步骤三中的石墨化炉内的温度为0-2800℃,石墨化的时间为8-15h。2CN110562971A说明书1/2页超薄高导热石墨膜的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种石墨膜制造领域,特别涉及一种超薄高导热石墨膜的制备方法。背景技术[0002]导热石墨膜又被大家称为导热石墨片,散热石墨膜,石墨散热膜等等,导热石墨膜是一种新型的导热散热材料,其导热散热的效果是非常明显的,现有社会中的石墨膜的制备方法是将双胺化合物与双酐化合物进行化合反应得到聚酰胺酸,然后通过亚胺化炉进行亚胺化制备得到PI膜,将PI膜进行收卷移动到碳化炉中进行碳化,然后移动到石墨炉中进行石墨化,然后再进行压延,在生产过薄的PI膜时亚胺化后的PI膜不易收卷并且过薄的PI膜在碳化的过程中易断。发明内容[0003]本发明解决的技术问题是提供一种便于生产超薄高导热石墨膜、防止生产超薄的PI膜在碳化过程中断裂、将亚胺化炉与碳化炉合并为一个碳化炉,减少一次PI膜的放卷过程同时减少亚胺化和碳化时间的超薄高导热石墨膜的制备方法。[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:超薄高导热石墨膜的制备方法,包括如下步骤:[0005]步骤一:将双胺化合物与双酐化合物进行化学反应得到聚酰胺酸;[0006]步骤二:将得到的聚酰胺酸放在碳化炉中先后进行亚胺化和真空碳化制程处理得到PI膜碳化产物,将PI膜碳化产物进行收卷;[0007]步骤三:将收卷后的PI膜碳化产物移动到石墨化炉内放卷进行热处理石墨化发泡得到PI膜石墨化产物,将PI膜石墨化产物进行收卷;[0008]步骤四:将收卷后的PI膜石墨化产物移动到压延机处放卷经过高压压辊表面进行压延得到超薄高导热石墨膜,然后将得到的超薄高导热石墨膜进行收卷。[0009]进一步的是:所述步骤二中的碳化炉中设置有两个温度区,分别为亚胺化温度区和碳化制程处理温度区,将亚胺化工序和碳化制程处理工序设置在一个碳化炉中可以避免了将亚胺化好的PI膜收卷后移动到碳化炉内进行放卷再进行碳化,节省了工序,同时也减短了亚胺化和碳化的时间,同时也减少了热量损耗,节省了能源,