一种导电纳米铜粉的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110814356A(43)申请公布日2020.02.21(21)申请号201911166304.4(22)申请日2019.11.25(71)申请人西安和光明宸科技有限公司地址710077陕西省西安市高新区丈八街办瞪羚路26号西安理工大学科技园E座312-04(72)发明人韩猛立(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人弓长(51)Int.Cl.B22F9/08(2006.01)B22F1/00(2006.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种导电纳米铜粉的制备方法(57)摘要本发明公开了一种导电纳米铜粉的制备方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，向熔炼炉中通入惰性气体，将铜放入熔炼炉中进行熔炼，得到铜溶液；步骤2，对铜溶液进行真空雾化处理，得到铜粉末；步骤3，将铜粉末放入管式炉中，升温至保温温度后，向管式炉中通入还原性气体CO，然后保温反应一段时间；步骤4，关闭CO通气阀，然后升温至新的保温温度，向管式炉中通入H2，保温反应，得到纳米铜粉。本发明制备的纳米铜粉成分均匀、导电性能良好、致密度高、流动性能优良、易于成型，粉末形貌和粒度一致性较好。CN110814356ACN110814356A权利要求书1/1页1.一种导电纳米铜粉的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤进行：步骤1，向熔炼炉中通入惰性气体，将铜放入充满惰性气体的熔炼炉中进行熔炼，得到铜溶液；步骤2，对铜溶液进行真空雾化处理，得到潮湿的铜粉末，将潮湿的铜粉末放入烘箱中，进行脱水处理，得到铜粉末；步骤3，将铜粉末放入管式炉中，升温至保温温度后，向管式炉中通入还原性气体CO，然后保温反应一段时间；步骤4，关闭CO通气阀，然后升温至新的保温温度，向管式炉中通入H2，保温反应，反应结束后，关闭H2通气阀，随炉冷却至室温，得到纳米铜粉。2.根据权利要求1所述的一种导电纳米铜粉的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，惰性气体为氩气，熔炼温度为1000～1200℃，熔炼时间为20～40min。3.根据权利要求1所述的一种导电纳米铜粉的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，调节雾化室的雾化压力为4～6MPa，将步骤1中得到的铜溶液通过石墨喷嘴喷入雾化室，雾化破碎得到铜粉末。4.根据权利要求1所述的一种导电纳米铜粉的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，烘干温度为100～120℃，烘干时间为6～8h。5.根据权利要求1所述的一种导电纳米铜粉的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，将铜粉末放入管式炉中，升温至280～300℃后，保温反应1～2h，保温反应期间，CO的气流量为5～10mL/min。6.根据权利要求1所述的一种导电纳米铜粉的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，CO通气阀关闭后，升温至300～350℃后，保温反应0.5～1.5h，保温反应期间，H2的气流量为5～10mL/min。2CN110814356A说明书1/3页一种导电纳米铜粉的制备方法技术领域[0001]本发明属于电子元器件材料技术领域，涉及一种导电纳米铜粉的制备方法。背景技术[0002]近年，随着高精密传感器、电子印刷、3D打印等产品与技术越来越多的受到资本市场关注，微电子产品正逐渐向着轻量化、便携化、节约空间、超精密的方向发展。按照美国IDTechEx机构的2017年～2027年的预测报告结果显示，3D电子打印与柔性电子设备的全球市场将从2017年的292.8亿美元增长达到2027年的734.3亿美元。而这类微电子元器中导电铜材也将随着该类产品的发展向着微型化即微米级，亚微米级甚至纳米级和轻薄化的方向发展。而要让电子元器件中的铜材能够实现微型化和轻薄化，制备该类材料所需的原料，也须向着超细和纳米化的方向开发。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种导电纳米铜粉的制备方法，制备的纳米铜粉纯度高，粒度分布均匀，导电性能良好。[0004]本发明所采用的技术方案是，一种导电纳米铜粉的制备方法，具体按照以下步骤进行：[0005]步骤1，向熔炼炉中通入惰性气体，将铜放入充满惰性气体的熔炼炉中进行熔炼，得到铜溶液；[0006]步骤2，对铜溶液进行真空雾化处理，得到潮湿的铜粉末，将潮湿的铜粉末放入烘箱中，进行脱水处理，得到铜粉末；[0007]步骤3，将铜粉末放入管式炉中，升温至保温温度后，向管式炉中通入还原性气体CO，然后保温反应一段时间；[0008]步骤4，关闭CO通气阀，然后升温至新的保温温度，向管式炉中通入H2，保温反应，反应结束后，关闭H2通气阀，随炉冷却至室温，得到纳米铜粉。[0009]步骤1中，惰性气体为氩气，熔炼温度为1000～1200℃，熔炼时间为20～40min。[0010]步骤2