一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111218673A(43)申请公布日2020.06.02(21)申请号201911219323.9(22)申请日2019.12.03(71)申请人中节能太阳能科技（镇江）有限公司地址212132江苏省镇江市新区北山路9号(72)发明人杜敬良庄艳金礼发黄国平李菁楠(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204代理人王恒静(51)Int.Cl.C23C16/50(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/52(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法(57)摘要本发明公开了一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法，所述石墨舟镀膜工艺方法，包括：将晶硅太阳能电池硅片在通高纯氮气时置于第一预设温度环境中，关闭炉门，抽真空；炉管内达到真空要求后，升温至第二预设温度后检测炉管密闭性；向炉内通氨气和硅烷，在一定电压下反应生成氮化硅；执行所述S1和S2后，获得氮化硅沉积后的晶硅太阳能电池硅片；冲洗吹扫并充氮气后出舟，完成镀膜工艺。本发明有效解决了新饱和石墨舟使用初期氮化硅膜厚偏低颜色发红和使用末期氮化硅膜膜厚偏大颜色偏白问题，使石墨舟使用整个周期内氮化硅膜厚和颜色保持稳定，大大降低了返工，减少生产成本，提升经济效益。CN111218673ACN111218673A权利要求书1/1页1.一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1获取所述石墨舟镀膜工艺中炉管密闭性正常后的各个石墨舟的舟号和对应的当前使用次数，并将获得的石墨舟相关数据存储到PECVD机台服务器中；S2所述PECVD机台服务器读取相关数据后，根据各个石墨舟的当前使用次数选择对应执行氮化硅的沉积时间，若所述石墨舟的当前使用次数小于最小阈值a，则所述氮化硅的沉积时间为第一时间T1，否则：若所述石墨舟的当前使用次数大于最大阈值b，则氮化硅的沉积时间为第三时间T3，否则：若所述石墨舟的当前使用次数置于最小阈值a和最大阈值b之间，则氮化硅的成沉积时间为第二时间T2，且T1＞T2＞T3，a＜b。2.根据权利要求1所述的解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法，其特征在于，最小阈值a∈[5,10]，最大阈值b∈[55,70]，550s≥T1＞T2＞T3≥400s。3.一种石墨舟镀膜工艺方法，其特征在于，包括：将晶硅太阳能电池硅片在通高纯氮气时置于第一预设温度环境中，关闭炉门，抽真空；炉管内达到真空要求后，升温至第二预设温度后检测炉管密闭性；向炉内通氨气和硅烷，在一定电压下反应生成氮化硅；执行所述S1和S2后，获得氮化硅沉积后的晶硅太阳能电池硅片；冲洗吹扫并充氮气后出舟，完成镀膜工艺。4.根据权利要求3所述的石墨舟镀膜工艺方法，其特征在于，所述第一预设温度的范围为400～450℃，第二预设温度为435℃。5.根据权利要求3所述的石墨舟镀膜工艺方法，其特征在于，所述一定电压的范围是350～400V。6.根据权利要求3所述的石墨舟镀膜工艺方法，其特征在于，所述充氮气的气体流量范围10～15slm，充氮气的时间范围为5～60s。7.根据权利要求3所述的石墨舟镀膜工艺方法，其特征在于，所述通氨气的气体流量范围是4.8～7.8slm，硅烷的气体流量范围为450～800sccm。8.根据权利要求3所述的石墨舟镀膜工艺方法，其特征在于，所述真空要求为时间在30s内压强升高不能超过50mTorr。2CN111218673A说明书1/5页一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法。背景技术[0002]目前晶硅电池生产管式PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子增强化学气相沉积)镀膜工段镀膜时电池片载体为石墨舟，镀膜时在石墨舟表面会沉积氮化硅，随着使用次数的增加，沉积的氮化硅越来越多，使用新饱和石墨舟给硅片镀膜时，石墨舟表面已沉积了较薄的氮化硅，镀膜时电场强度低，镀膜速度慢，导致硅片表面镀的膜薄，硅片颜色偏红，不符合产品质量标准。石墨舟使用达到一定次数后，石墨舟表面沉积的氮化硅较厚，镀膜时电场强度高，镀膜速度快尤其硅片与石墨舟叶接触处更易使硅片沉积较厚氮化硅，导致硅片镀的膜较厚，硅片颜色偏白不符合质量标准。在镀膜过程中，氮化硅镀膜厚度是否异常很难及时察觉，造成产品大量返工，增加生产成本，降低经济效益。发明内容[00