一种石墨舟的饱和沉积工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114361084A(43)申请公布日2022.04.15(21)申请号202111576086.9(22)申请日2021.12.22(71)申请人宁波尤利卡太阳能股份有限公司地址315000浙江省宁波市海曙区望春工业园区杉杉路181-197号(72)发明人蔡二辉陈筑刘晓巍吴前进俞军余震杰(74)专利代理机构宁波甬致专利代理有限公司33228代理人高瑞霞(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种石墨舟的饱和沉积工艺(57)摘要本发明涉及一种石墨舟的饱和沉积工艺，具体为：将清洗后的石墨舟放入炉管进行饱和沉积的预准备；对所述石墨舟进行预轰击处理；对所述石墨舟沉积第一氮化硅膜；对所述石墨舟沉积碳化硅膜；对所述石墨舟沉积第二氮化硅膜。优先镀一层氮化硅，然后再镀碳化硅膜，最后再镀一层氮化硅膜，镀碳化硅膜位于两层氮化硅膜之间，可以做到碳化硅膜被腐蚀的同时，最底层氮化硅膜也同时被腐蚀，当底层的氮化硅达到被完全腐蚀去除时，碳化硅膜也达到了极大部分被腐蚀去除的状态，剩余细微部分的碳化硅也是疏松、起皮的状态。该种石墨舟饱和沉积工艺能使石墨舟更容易清洗，提高了清洗效率，进一步提高了生产效率和生产质量。CN114361084ACN114361084A权利要求书1/1页1.一种石墨舟的饱和沉积工艺，其特征在于：包括下列步骤：S1、将清洗后的石墨舟放入炉管进行饱和沉积的预准备；S2、对所述石墨舟进行预轰击处理；S3、对所述石墨舟沉积第一氮化硅膜；S4、对所述石墨舟沉积碳化硅膜；S5、对所述石墨舟沉积第二氮化硅膜。2.根据权利要求1所述的一种石墨舟的饱和沉积工艺，其特征在于：在步骤S1中，清洗后的石墨舟放入炉管进行饱和沉积的预准备的工艺条件为：炉管内恒温至400‑430℃，压强维持在1800‑2000mTor，使用氮气吹扫，氮气流量为8‑10slm，进行饱和沉积的预准备的时间为1400s。3.根据权利要求2所述的一种石墨舟的饱和沉积工艺，其特征在于：在步骤S2中，所述石墨舟进行预轰击处理的工艺条件为：炉管内恒温至430‑450℃，压强维持在2000‑2200mTor，通入氨气，氨气流量7‑8slm，同时开启射频电源，射频功率为4000‑4300W，脉冲比例为5/50ms，进行预轰击处理的时间为300s。4.根据权利要求3所述的一种石墨舟的饱和沉积工艺，其特征在于：在步骤S3中，所述石墨舟沉积第一氮化硅膜的工艺条件为：炉管内恒温至430‑450℃，压强维持在1600‑1800mTor，同时通入氨气和硅烷气体，氨气流量为7‑8slm，硅烷流量为900‑1000sccm，同时开启射频电源，射频功率为7500‑7800W，脉冲比例为5/80ms，沉积第一氮化硅膜的时间为1200s。5.根据权利要求4所述的一种石墨舟的饱和沉积工艺，其特征在于：在步骤S4中，所述石墨舟沉积碳化硅膜的工艺条件为：炉管内恒温至430‑450℃，压强维持在1400‑1600mTor，同时通入甲烷气体和硅烷气体，甲烷流量为14‑15slm，硅烷流量为1400‑1600sccm，同时开启射频电源，射频功率为7600‑8000W，脉冲比例为5/80ms，沉积碳化硅膜的时间为100min。6.根据权利要求5所述的一种石墨舟的饱和沉积工艺，其特征在于：在步骤S5中，所述石墨舟沉积第二氮化硅膜的工艺条件为：炉管内恒温至430‑450℃，压强维持在1800‑2000mTor，同时通入氨气和硅烷气体，氨气流量为15‑16slm，硅烷流量为1800‑2000sccm，同时开启射频电源，射频功率为8000‑8200W，脉冲比例为5/70ms，沉积第二氮化硅膜的时间为1200s。2CN114361084A说明书1/3页一种石墨舟的饱和沉积工艺技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种石墨舟的饱和沉积工艺。背景技术[0002]目前光伏行业占比较大的是PERC电池，PERC电池其中镀膜工序主要使用石墨舟承载硅片进行镀膜，在硅片镀膜的同时，石墨也被镀上了膜层，随着使用次数的增多，石墨舟上的膜层越来越厚。一般正膜用石墨舟的氮化硅膜，使用低浓度的氢氟酸浸泡基本可以去除；但是背膜有氧化铝膜、氮化硅膜和碳化硅复合在一起，很难去除干净，容易在石墨舟硅片位置形成厚厚的硬壳难以去除。石墨舟上的硬壳，在使用过程中，极易对硅片造成了划伤损伤，造成电池片EL不良。现在大多数公司采用酸洗的方式来去除硬壳，但是对采用现有技术饱和沉积的石墨舟进行清洗，很难清洗掉石墨舟表面上的碳化硅硬壳，给行业内造成很大困难，影响生产效率，降低生产质量。发明