一种石墨卡件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111517827A(43)申请公布日2020.08.11(21)申请号202010358057.4(22)申请日2020.04.29(71)申请人亚洲硅业（青海）股份有限公司地址810007青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号申请人青海省亚硅硅材料工程技术有限公司(72)发明人高志明高承燕鲍守珍甘易武郑连基(74)专利代理机构成都华风专利事务所(普通合伙)51223代理人杜朗宇(51)Int.Cl.C04B41/87(2006.01)C01B33/021(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种石墨卡件及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种石墨卡件，该石墨卡件通过在石墨座与石墨帽连接后的外侧裸露部分喷涂陶瓷材料，将裸露的石墨包裹起来，减少裸露面积，尽可能隔绝与炉子内部反应物料的接触，从而减少碳含量，提高多晶硅品质。所述石墨卡件包括石墨卡瓣、石墨帽和石墨底座；其中，石墨底座轴心上设有石墨卡瓣，石墨帽穿过石墨卡瓣安装在石墨底座上，硅芯穿过由石墨卡瓣围成的空腔，硅芯通过石墨帽与石墨底座的连接螺纹固定在石墨底座上，所述组装好后的石墨底座与石墨帽外壁上、安装在所述石墨底座上的电极皆喷涂有陶瓷材质的喷涂层。本发明还提供了上述石墨卡件的制备方法。CN111517827ACN111517827A权利要求书1/1页1.一种石墨卡件，包括石墨卡瓣(3)、石墨帽(4)和石墨底座(2)；其中，石墨底座(2)轴心上设有石墨卡瓣(3)，石墨帽(4)穿过石墨卡瓣(3)安装在石墨底座(2)上，硅芯(5)穿过由石墨卡瓣(3)围成的空腔，硅芯(5)通过石墨帽(4)与石墨底座(2)的连接螺纹固定在石墨底座(2)上，其特征在于，所述组装好后的石墨底座(2)与石墨帽(4)外壁上、安装在所述石墨底座(2)上的电极(1)皆喷涂有陶瓷材质的喷涂层(6)。2.根据权利要求1所述石墨卡件，其特征在于，所述喷涂层(6)为A12O3、ZrO2、Si3N4和/或SiC。3.一种如权利要求1所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将电极(1)、石墨底座(2)、石墨卡瓣(3)、石墨帽(4)、硅芯(5)分别进行表面预热处理；2)将经预热处理后的各组件进行连接，并在组装好后的石墨底座(2)与石墨帽(4)外壁上、安装在所述石墨底座(2)上的电极(1)上皆喷涂陶瓷材质的喷涂层(6)。4.根据权利要求3所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，步骤1)所述预热温度为1000-1200℃。5.根据权利要求3所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，步骤2)所述喷涂方式为等离子喷涂技术、高温喷涂技术。6.根据权利要求3所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，步骤2)所述喷涂压力为1-5MPa。7.根据权利要求3所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，步骤2)所述喷涂温度为1000-2000℃。8.根据权利要求3所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，步骤2)所述喷涂强度为80-100HRA。9.根据权利要求3所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，步骤2)所述陶瓷材料的喷涂厚度为0.3-0.8mm。10.根据权利要求3所述石墨卡件的制备方法，其特征在于，步骤2)所述陶瓷材料为A12O3、ZrO2、Si3N4和/或SiC。2CN111517827A说明书1/3页一种石墨卡件及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产领域，尤其是一种石墨卡件及其制备方法。背景技术[0002]近年来，我国多晶硅行业高速发展，实现了规模化、产业化、高质量的生产，建设清洁低碳、安全高效的现代光伏体系是一致的目标。硅是储量最大、应用最广的半导体材料，它的高质量发展和应用标志着一个国家的电子工业水平。多晶硅是用于生产半导体和太阳能光伏产品的主要中间原料，目前用于生产多晶硅的主要有改良西门子法、硅烷法、流化床等方法。目前还原炉内使用比较多的石墨组件，例如石墨座，石墨帽和石墨卡瓣等等，在高温运行环境下，裸露在还原炉内的石墨件与炉内物料气体接触，会带入一部分碳杂质进入系统，引起碳含量升高，从而影响多晶硅品质。发明内容[0003]针对上述不足，本发明旨在提供一种石墨卡件，该石墨卡件通过在石墨座与石墨帽连接后的外侧裸露部分喷涂陶瓷材料，将裸露的石墨包裹起来，减少裸露面积，尽可能隔绝与炉子内部反应物料的接触，从而减少碳含量，提高多晶硅品质。[0004]为实现上述技术目的，本发明提供的第一技术方案是这样的：一种石墨卡件，包括石墨卡瓣3、石墨帽4和石墨底座2；其中，石墨底座2轴心上设有石墨卡瓣3，石墨帽4穿过石墨卡瓣3安装在石墨底座2上，硅芯5穿过由石墨卡瓣3围成的空腔，硅芯5通过石墨帽4与石墨底座2的连接螺纹固定在石墨底座2上，所述组装好后的