半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111560606A(43)申请公布日2020.08.21(21)申请号202010436589.5(22)申请日2020.05.21(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人侯鹏飞郑建宇郝晓明赵福平(74)专利代理机构北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙)11726代理人王献茹(51)Int.Cl.C23C16/46(2006.01)C23C16/52(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图3页(54)发明名称半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备(57)摘要本发明提供了一种半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备。该方法应用于非对称加热炉体，该非对称加热炉体包括至少一个加热块，加热块的疏加热区与密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，且分别独立供电控制；该方法包括：检测疏加热区和密加热区的温度；根据上述温度及预设温度阈值调节至少一个疏加热区，和/或至少一个密加热区的加热功率，以使非对称加热炉体内被加热体的温度均匀。在本发明实施例中，可以独立控制疏加热区和密加热区的加热功率，适应各种不同温度要求，无需添加辅助加热件等设备以及停机更换加热件，可以降低能耗、设备成本，提高生产效率。CN111560606ACN111560606A权利要求书1/2页1.一种半导体热处理设备中加热炉体的控制方法，其特征在于，应用于非对称加热炉体，所述非对称加热炉体包括至少一个加热块，所述加热块包括疏加热区和密加热区，所述疏加热区与所述密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，所述疏加热区和所述密加热区分别独立供电控制；所述方法包括：检测所述疏加热区和所述密加热区的温度；根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，以使所述非对称加热炉体内被加热体的温度均匀。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热块包括多个所述疏加热区和多个所述密加热区，至少两个所述疏加热区串联连接，和/或，至少两个所述密加热区串联连接；所述根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，包括：若串联的至少两个所述疏加热区的温度与第一阈值不同，则同步调节串联的至少两个所述疏加热区的加热功率；和/或，若串联的至少两个所述密加热区的温度与第二阈值不同，则同步调节串联的至少两个所述密加热区的加热功率。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的所述疏加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的所述密加热区串联连接；所述根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，包括：若串联的所述疏加热区的温度与第三阈值不同，则同步调节串联的所述疏加热区的加热功率，和/或，若串联的所述密加热区的温度与第四阈值不同，则同步调节串联的所述密加热区的加热功率。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的所述疏加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的所述密加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的所述密加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的所述疏加热区串联连接；所述根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，包括：若串联的所述疏加热区的温度与第五阈值不同，则同步调节串联的所述疏加热区的加热功率，和/或，若串联的所述密加热区的温度与第六阈值不同，则同步调节串联的所述密加热区的加热功率。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热块还包括多个均匀加热区，各所述均匀加热区的分布密度或电阻相同，各所述均匀加热区分别独立供电控制；所述方法还包括：根据所述均匀加热区的温度及所述预设温度阈值，调节至少一个所述均匀加热区的加热功率，以使所述非对称加热炉体内的加热体温度均匀。2CN111560606A权利要求书2/2页6.一种半导体热处理设备中的加热炉体，其特征在于，包括控制器和至少一个加热块，所述加热块包括疏加热区和密加热区，所述疏加热区与所述密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，所述疏加热区及所述密加热区分别独立供电控制；所述控制器用于执行权利要求1至5中任一项所述的加热炉体的控制方法。7.根据权利要求6所述的加热炉体，其特征在于，所述加热块包括多个所述疏加热区和多个所述密加热区，至少两个所述疏加热区串联连接，和/或，至少两个所述密加热区串联连接。8.根据权利要求6所述的加热炉体，其特征在于