半导体工艺设备中的炉管以及半导体工艺设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111725102A(43)申请公布日2020.09.29(21)申请号202010560988.2(22)申请日2020.06.18(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人韩子迦杨慧萍杨帅(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315代理人张少辉(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图6页(54)发明名称半导体工艺设备中的炉管以及半导体工艺设备(57)摘要本申请公开了一种半导体工艺设备中的炉管以及一种半导体工艺设备。该炉管包括：管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，所述进气环处于所述管腔的下部并沿所述管腔的周向延伸，并且所述进气环上设置有多个朝向所述管腔的出气口。通过使用进气环，可以在炉管内形成均匀的工艺气体气氛，从而提高晶圆封装修复良率。CN111725102ACN111725102A权利要求书1/1页1.一种半导体工艺设备中的炉管，其特征在于，包括：管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，所述进气环处于所述管腔的下部并沿所述管腔的周向延伸，并且所述进气环上设置有多个朝向所述管腔的出气口。2.根据权利要求1所述的炉管，其特征在于，所述多个出气口在周向上以相同的圆心角间隔分布。3.根据权利要求2所述的炉管，其特征在于，所述出气口设置在所述进气环的顶壁上，并且所述出气口的轴线倾斜指向所述管体的上部。4.根据权利要求1-3任一项所述的炉管，其特征在于，所述进气环的底壁上偏离所述出气口还设置有清洁口。5.根据权利要求1-3任一项所述的炉管，其特征在于，所述进气环贴合所述管腔的内壁设置。6.根据权利要求5所述的炉管，其特征在于，所述进气环的截面为多边形，所述进气环与所述内壁贴合的侧壁与所述内壁相适配。7.根据权利要求1-3任一项所述的炉管，其特征在于，还包括设置于所述管口处的法兰结构，所述进气环的至少部分固定附接在所述法兰结构上。8.根据权利要求1-3任一项所述的炉管，其特征在于，所述炉管还包括排气通道，所述排气通道设置在所述管体的外侧，并且所述排气通道的入口与所述出气口连通，所述排气通道的出口处于所述管体的下部。9.根据权利要求8所述的炉管，其特征在于，所述排气通道的出口与所述进气口处于相同高度。10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：晶舟、保温桶、根据权利要求1-9中任一项所述的炉管，所述炉管用于容纳所述晶舟和所述保温桶。2CN111725102A说明书1/5页半导体工艺设备中的炉管以及半导体工艺设备技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体工艺设备中的炉管。本申请还涉及包括这种炉管的半导体工艺设备。背景技术[0002]聚酰氩胺薄膜作为绝缘类材料，由于其具有较高的耐温性，高介电性，耐辐射性及粘结性，而广泛应用于芯片或晶圆的封装中。在芯片或晶圆封装制程中，在将聚酰氩胺液体真空加热固化之后，为修复聚酰氩胺薄膜的损伤以及加固其粘结性，通常采用芯片或晶圆封装修复装置。[0003]芯片或晶圆封装修复装置通常为使用炉管的立式炉，待处理的晶圆设置在炉管内。通过向炉管内供入相应的工艺气体(例如氮气和氧气)，从而在炉管内产生形成所需的气氛，然后就可以对芯片或晶圆封装修复。[0004]在现有技术中，炉管通常为上方进气、下方排气的结构，这易于导致炉管内气体分布不均匀，并因此甚至导致芯片或晶圆封装修复不良。发明内容[0005]为解决上述问题，本发明提出了一种半导体工艺设备中的炉管。还提出了使用这种炉管的半导体工艺设备。[0006]根据本发明的第一方面的半导体工艺设备中的炉管，包括：管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，所述进气环处于所述管腔的下部并沿所述管腔的周向延伸，并且所述进气环上设置有多个朝向所述管腔的出气口。[0007]在一个实施例中，所述多个出气口在周向上以相同的圆心角间隔分布。[0008]在一个实施例中，所述出气口设置在所述进气环的顶壁上，并且所述出气口的轴线倾斜指向所述管体的上部。[0009]在一个实施例中，所述进气环的底壁上偏离所述出气口还设置有清洁口。[0010]在一个实施例中，所述进气环贴合所述管腔的内壁设置。[001