硅芯、硅棒制备装置及硅棒制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111774956A(43)申请公布日2020.10.16(21)申请号202010740661.3(22)申请日2020.07.27(71)申请人亚洲硅业(青海)股份有限公司地址810007青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号申请人青海省亚硅硅材料工程技术有限公司(72)发明人施光明李宇辰王琳韩玲郭光伟吉红平何乃栋陈宏博(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人张伟(51)Int.Cl.B24B5/50(2006.01)C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称硅芯、硅棒制备装置及硅棒制备方法(57)摘要本发明提供了一种硅芯、硅棒制备装置及硅棒制备方法，涉及多晶硅生产技术领域，该硅芯沿其轴向设有多个间隔设置的凹陷部，凹陷部沿垂直于硅芯的轴向向内形成周向凹陷部。该硅棒制备装置包括还原炉和硅芯，硅芯安装在还原炉内。该硅棒制备方法包括沿硅芯的轴向量取所需长度并设置标记点；在标记点处构建多个凹陷部；将硅芯安装在还原炉内生长，待硅棒生长到一定直径后停炉；取出生长到一定直径的硅棒，通过敲击的方式获得所需尺寸的硅棒。解决了现有技术中存在的硅棒在人工敲砸时容易直接敲成碎块，进而造成浪费的技术问题。CN111774956ACN111774956A权利要求书1/1页1.一种硅芯，其特征在于，所述硅芯(100)沿其轴向设有多个间隔设置的凹陷部，所述凹陷部沿垂直于所述硅芯(100)的轴向向内形成周向凹陷部(110)。2.根据权利要求1所述的硅芯，其特征在于，所述周向凹陷部(110)的开口为沿垂直于所述硅芯(100)的轴向向外逐渐张开设置。3.根据权利要求2所述的硅芯，其特征在于，多个所述周向凹陷部(110)沿所述硅芯(100)的轴向等间隔设置。4.根据权利要求3所述的硅芯，其特征在于，所述硅芯(100)沿其轴向的长度尺寸范围为2.2m～2.8m；相邻两个所述周向凹陷部(110)之间的间隔范围为0.2m～0.4m。5.根据权利要求1所述的硅芯，其特征在于，所述硅芯(100)的横截面形状为矩形或圆形。6.根据权利要求1-5任一项所述的硅芯，其特征在于，所述周向凹陷部(110)通过打磨工具去除材料的方式构建。7.一种硅棒制备装置，其特征在于，包括：还原炉和权利要求1-6任一项所述的硅芯；所述硅芯(100)安装在所述还原炉内。8.一种硅棒制备方法，其特征在于，所述方法包括：沿硅芯(100)的轴向量取固定长度，并在固定长度位置处设置标记点；在所述标记点处通过打磨工具以去除材料的方式构建多个周向凹陷部(110)；将打磨有多个所述周向凹陷部(110)的硅芯(100)安装在还原炉内生长，待硅棒生长到一定直径后停炉；取出生长到一定直径的硅棒，通过敲击的方式获得所需尺寸的硅棒。9.根据权利要求8所述的硅棒制备方法，其特征在于，在敲击所述硅棒的步骤中，需将所述硅棒横置，并敲击所述硅棒的中部位置。10.根据权利要求8所述的硅棒制备方法，其特征在于，在量取固定长度的步骤中，各固定长度的值均相等，经生长后可获得相等长度的多根硅棒。2CN111774956A说明书1/5页硅芯、硅棒制备装置及硅棒制备方法技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其是涉及一种硅芯、硅棒制备装置及硅棒制备方法。背景技术[0002]目前，国内大部分的多晶硅生产厂家均使用西门子改良法工艺，该工艺的主要设备为CVD(ChemicalVapourDeposition，化学气相沉积)还原炉。[0003]化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料以及金属合金材料。[0004]一般的，还原炉的工作原理是三氯氢硅与氢气的混和气体通过固定长度的高温硅芯反应，在硅芯上沉积生成多晶硅，多晶硅棒取出后按客户需求进行敲碎包装发货。[0005]当客户需要固定长度的完整硅棒时，我们只能进行人工将硅棒敲至合理范围之内，这种方法费时费力而且在敲的过程中不易控制长短及外观的完整，很容易将硅棒直接敲成碎块，进而造成浪费。发明内容[0006]本发明的目的在于提供一种硅芯、硅棒制备装置及硅棒制备方法，以缓解现有技术中存在的硅棒在人工敲砸时容易直接敲成碎块，进而造成浪费的技术问题。[0007]第一方面，本发明实施例提供一种硅芯，所述硅芯沿其轴向设有多个间隔设置的凹陷部，所述凹陷部沿垂直于所述硅芯的轴向向内形成周向凹陷部。[0008]进一步的，所述周向凹陷部的开口为沿垂直于所述硅芯的轴向向外逐渐张开设置。[0009]进一步的，多个所述周向凹陷部沿所述硅芯的轴向等间隔