多晶硅棒对和制备多晶硅的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106458609A(43)申请公布日2017.02.22(21)申请号201580026001.6(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司1(22)申请日2015.10.291240代理人张英宫传芝(30)优先权数据102014222883.22014.11.10DE(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C30B29/06(2006.01)2016.11.21C30B28/14(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2015/0751172015.10.29(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/074939DE2016.05.19(71)申请人瓦克化学股份公司地址德国慕尼黑(72)发明人马蒂亚斯·维特兹斯特凡·费贝尔权利要求书1页说明书4页(54)发明名称多晶硅棒对和制备多晶硅的方法(57)摘要本发明涉及制备多晶硅的方法，所述方法包括：沉积多晶硅，从反应器拆除至少一个多晶硅棒对，从至少一个多晶硅棒对的至少两个多晶硅棒的电极侧端除去石墨残留物，将至少两个多晶硅棒粉碎成棒块或碎块，其中在从反应器拆除至少一个多晶硅棒对之前，所述方法包括用由厚度大于150pm的塑料膜制成的塑料袋至少部分地覆盖至少一个多晶硅棒对，其中所述塑料袋在其开口处包含多个配重。本发明还涉及多晶硅棒对，其棒直径为190mm或更大，且被塑料袋覆盖，所述塑料袋由厚度大于150pm的塑料膜制成。CN106458609ACN106458609A权利要求书1/1页1.一种制备多晶硅的方法，所述方法包括：a)通过CVD将多晶硅沉积到至少一个U型支撑体上，所述U型支撑体通过直接通电而被加热到使多晶硅沉积到所述支撑体上的温度，以形成至少一个U型多晶硅棒对，其中所述支撑体的每个自由端连接各自的石墨电极并因此供电；b)从反应器拆除至少一个多晶硅棒对；c)从所述至少一个多晶硅棒对的至少两个多晶硅棒的电极侧端除去石墨残留物；d)将所述至少两个多晶硅棒粉碎成棒块或碎块；其中在从反应器拆除所述至少一个多晶硅棒对之前，所述方法包括用由厚度大于150μm的塑料膜制成的塑料袋至少部分地覆盖所述至少一个多晶硅棒对，其中所述塑料袋在其开口区域包含一个或多个配重。2.权利要求1的方法，其中所述塑料袋上的配重的总质量为所述塑料膜的总质量的20％-80％。3.权利要求1或2的方法，其中所述配重是由不锈钢制成的刚性配重，每个配重布置在各自的PE保护壳中，其中将包含由不锈钢制成的配重的保护壳焊接到塑料袋上。4.权利要求1或2的方法，其中所述配重由选自以下的塑料制成：聚氨酯、聚乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯。5.权利要求1或2的方法，其中所述配重由碳纤维增强塑料或玻璃纤维增强塑料的材料制成。6.权利要求1-5中任一项的方法，其中所述塑料袋的塑料膜由LDPE制成，并且厚度为200μm-500μm。7.权利要求6的方法，其中所述由LDPE制成的膜的厚度为220μm-290μm。8.权利要求1-7中任一项的方法，其中使用本体来实现将所述至少一个多晶硅棒对从反应器拆除，其中所述本体具有外壁和内壁且完全包封硅棒对，其中使用起重机、绞车或抓斗将所述本体与由其包封的硅棒对一起从反应器移走，其中拆除棒后，除去布置在塑料袋上的配重。9.权利要求8的方法，其中所述本体具有开口，从反应器移走后，通过所述开口使至少一个多晶硅棒对从所述本体突出或吊起，从而使所述硅棒对的每个硅棒在所述本体的开口处突出不超过其长度的500mm，其中随后从至少两个硅棒的电极侧端除去石墨残留物。10.权利要求1-9中任一项的方法，其中在从电极侧端除去石墨残留物期间，用塑料袋覆盖每一个硅棒，所述塑料袋与电极侧端的距离不小于5mm。11.一种多晶硅棒对，其棒直径为190mm或更大，且被塑料袋覆盖，所述塑料袋由厚度大于150μm的塑料膜制成。2CN106458609A说明书1/4页多晶硅棒对和制备多晶硅的方法[0001]本发明涉及多晶硅棒对和制备多晶硅的方法。[0002]多晶体硅(polycrystallinesilicon)(简称多晶硅(polysilicon))在通过坩埚提拉(Czochralski或CZ法)或通过区域熔化(浮区或FZ法)制备单晶硅的过程中充当起始材料。将该单晶硅切割成晶片，并在大量机械、化学和机械化学处理操作之后，在半导体工业中用于制造电子元件(芯片)。[0003]然而，尤其是对于通过提拉法或铸造法来制备单晶硅或多晶硅(multicrystallinesilicon)而言，在很大程度上需要多晶体硅，这种单晶硅或多晶硅用于制造用于光伏应用的太阳能电池。[00