一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒.pdf
夏萍****文章
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一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒.pdf
本发明实施例公开了一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒,所述制备方法包括:基于基准氮掺杂单晶硅棒切割成样品硅片后,选取多个待检测硅片,并评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布;基于所述多个待检测硅片的缺陷区域分布,确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置;在当前氮掺杂单晶硅棒的制备过程中,在所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置处按照设定的各缺陷区域对应的目标提拉速率进行提拉以制备得到所述当前氮掺杂单晶硅棒。
氮掺杂P型单晶硅制造方法.pdf
本发明实施例公开了一种氮掺杂P型单晶硅制造方法,包括:将高掺杂氮单晶与多晶硅投入坩埚并加热拉晶炉,得到第一硅熔体;向所述第一硅熔体加入高掺杂硼单晶,得到第二硅熔体;在所述第二硅熔体中以直拉法拉制氮掺杂P型单晶硅。根据本发明的氮掺杂P型单晶硅制造方法,使得氮和硼在较低的炉室温度下完全融入硅熔体,解决了炉室温度高,加热时间久的技术问题。同时,改变高掺杂硼单晶和高掺杂氮单晶的熔融顺序,以抑制氮化硼(BN)的形成导致拉晶失败的情况发生。
一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法.pdf
本发明公开的一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法,包括步骤:先按一定比例在硅原料中添加纯铝颗粒,然后将硅原料及纯铝颗粒装入单晶炉内的石英坩埚中,将单晶炉密封通入保护气体后,通过加热器将硅原料及纯铝颗粒熔化,最后经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉工序后,得到N型单晶硅棒。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法解决了现有的单晶硅棒由于在生长过程中电阻分布不合理导致其尾部电阻不良率较高的问题。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法在硅原料中添加纯铝颗粒,高温熔化并分布在硅溶液中,随单晶硅棒的生长根据分凝原
用于单晶硅棒生产的掺杂工艺.pdf
本发明公开了一种用于单晶硅棒生产的掺杂工艺,包括准备原料、首次装料、第二次装料、加热熔化等操作步骤,通过改变硼族元素合金的掺加方法和掺加时间,控制和缩短了单晶硅棒头部和尾部之间的差距,缩小了单晶硅棒电阻率的差额区间,增加了单晶硅棒优质段的长度,提高了单晶硅棒的产量。
一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒.pdf
本发明实施例公开了一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒,所述方法包括:将设定质量的多晶硅熔料和第一预设质量的掺杂剂放置于石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后,拉制第一预设长度的第一单晶硅棒节;当所述第一单晶硅棒节收尾时,在所述第一单晶硅棒节的尾部生长出带水平肩部的晶体;提升所述第一单晶硅棒节至副炉室冷却后,将第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体的水平肩部处;通过下降所述第一单晶硅棒节使所述晶体完全浸入剩余的所述硅熔液中并熔化后,拉制第二预设长度的第二单晶硅棒节。