一种阻焊激光曝光后碱性去油墨的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111867270A(43)申请公布日2020.10.30(21)申请号202010746780.X(22)申请日2020.07.29(71)申请人深圳市正基电子有限公司地址518000广东省深圳市龙岗区坪地镇四方埔村金牛工业区(72)发明人居永明岳嘉成(74)专利代理机构深圳市海盛达知识产权代理事务所(普通合伙)44540代理人赵雪佳(51)Int.Cl.H05K3/26(2006.01)H05K3/22(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称一种阻焊激光曝光后碱性去油墨的方法(57)摘要本发明提供了一种阻焊激光曝光后碱性去油墨的方法，包括如下步骤：第一步：将覆铜基板放置在烤炉中进行烤板作业；第二步：第一步中经过烤板后的覆铜基板进行减铜作业；第三步：对第二步减铜后的覆铜基板进行钻孔作业，实现层与层之间的导通；第四步：对第三步钻孔后的覆铜基板进行孔化、板电作业；第五步：将第四步板电后的覆铜基板进行图形转移作业，得到半成品基板；第六步：将第五步的半成品基板进行阻焊作业；第七步：对第六步需要返工处理的半成品基板进行返工去油墨作业。本发明的有益效果是：解决不良品返工重新制作减少报废，能够将阻焊工序出现异常产品进行返工处理，重新做阻焊工艺。CN111867270ACN111867270A权利要求书1/2页1.一种阻焊激光曝光后碱性去油墨的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：将覆铜基板放置在烤炉中进行烤板作业；第二步：第一步中经过烤板后的覆铜基板进行减铜作业；第三步：对第二步减铜后的覆铜基板进行钻孔作业，实现层与层之间的导通；第四步：对第三步钻孔后的覆铜基板进行孔化、板电作业；第五步：将第四步板电后的覆铜基板进行图形转移作业，得到半成品基板；第六步：将第五步的半成品基板进行阻焊作业；第七步：对第六步需要返工处理的半成品基板进行返工去油墨作业。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一步中，将覆铜基板平整地放置在烤炉中，将温度升至195℃后设定烤板时间2小时，让覆铜基板持续在烤炉中烤板2小时。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第四步中，孔化是对钻孔后的覆铜基板用化学药水使孔内孔壁电上一层导电膜，使覆铜基板上下两面铜箔通过过孔内的导电膜连通起来，为板电镀铜提供基础附着层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第四步中，板电作业：过完孔化的覆铜基板自动上板，首先用除油剂进行除油，除油剂SE-250的浓度控制在0.8-1.2％、硫酸H2SO4的浓度控制在1.2-2.8％来清除板面氧化，调整孔内电荷，除油完后再水洗除去除油的残余药水；然后进入微蚀槽内微蚀剂粗化铜表面，作用是保证金属之间良好的结合力；微蚀后再经过酸洗槽H2SO4溶液温度29℃至31℃可去除铜面氧化；酸洗后的覆铜基板垂直进入铜槽中，铜槽喷淋流量按35-35HZ；镀完铜厚的覆铜基板需以1.2-1.5m/min范围的速度水洗并烘干水分，而烘干时的温度在70℃-80℃范围内，得到板电后的覆铜基板。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第五步包括如下步骤：步骤1：线路前烤板，将板电后的覆铜基板插架放入烤炉中，设定烤板温度为150℃，烤板60分钟后冷却取出覆铜基板；步骤2：通过粗化液药水对覆铜基板板面粗化处理，提高干膜与覆铜基板的结合力，再以整平水洗板面残留的粗化液药水，然后酸洗板面氧化，强风吹干烘干基板板面；再将感光干膜压附在基板铜箔上，在压膜时温度控制在105℃-125℃范围内，2.5米的速度传送基板，压膜时间在1.5秒，压膜后的覆铜基板静置15分钟后即可线路曝光处理；步骤3：首先将曝光玻璃台面清洁干净，除尘处理，然后将覆铜基板放置在定位孔上，采用自动对位，将曝光机台面吸真空，对位精度确认，调节曝光能量，按曝光尺5-6格对应的曝光能量数值为准，自动进行对位曝光，然后一键曝光按钮激光直接成像在覆铜基板上成像，关闭曝光门，等曝光OK后打开门并拿出曝光成像的覆铜基板；步骤4、曝光后的覆铜基板在显影前需静置30分钟,通过显影药水将干膜去除让覆铜基板上显示出曝光后线路图形，再通过蚀刻药水去掉多余铜皮，保留线路图形，再通过酸洗清洁板面，水洗吹板面水分，得到待阻焊作业的半成品板体。步骤5、对线路作业后及基板进行AOI光学检测开短路处理，在阻焊作业前提前判断产品缺陷问题，确保产品的线路在后续过程中是合格的。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第六步包括如下步骤：步骤A：对经过AOI光学检查的半成品基板进行超粗化作业前的整平处理，水洗清洁板面氧化、异物；2CN111867270A权利要求书2/2页步骤B：对经过整平处理的半成品基板再进行超粗化作业；步