进气管结构和多晶硅还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111943210A(43)申请公布日2020.11.17(21)申请号202010782435.1(22)申请日2020.08.06(71)申请人亚洲硅业(青海)股份有限公司地址810007青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号申请人青海省亚硅硅材料工程技术有限公司(72)发明人丁小海杨明财施光明郑连基宗冰吉红平肖建忠王体虎(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人张萌(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称进气管结构和多晶硅还原炉(57)摘要本发明提供了一种进气管结构和多晶硅还原炉，涉及多晶硅生产技术领域，包括进气管本体，进气管本体内设置有导流部，导流部的进口端与进气管本体的内壁连接，沿物料气体的流动方向，导流部的横截面积逐渐减小；进气管本体对应导流部的出口端的侧壁上设置有引流孔。物料气体经过导流部后能够显著提高流速，其中心的高速流体与边缘部相对较低流速之间形成气压差，使得气体从引流孔进入进气管本体成为上升物料气体的一部分，并竖直进入还原炉，提高还原炉底部气体流动性，缓解底部温度较低的情况；进入还原炉的物料气束自中心向边缘形成流度梯度，使得其上升流动保持较高垂直度，避免其偏向吹扫个别硅棒表面致使其生长偏心、倒棒等问题。CN111943210ACN111943210A权利要求书1/1页1.一种进气管结构，其特征在于，包括进气管本体，所述进气管本体内设置有导流部，所述导流部的进口端与所述进气管本体的内壁连接，沿物料气体的流动方向，所述导流部的横截面积逐渐减小；所述进气管本体对应所述导流部的出口端的侧壁上设置有引流孔。2.根据权利要求1所述的进气管结构，其特征在于，所述导流部的出口端位于所述引流孔的上边沿与所述引流孔的下边沿之间。3.根据权利要求1所述的进气管结构，其特征在于，所述引流孔的数量为多个，且沿所述进气管本体的周向均布。4.根据权利要求3所述的进气管结构，其特征在于，所述引流孔的数量为2-8个。5.根据权利要求1所述的进气管结构，其特征在于，所述引流孔为圆形孔。6.根据权利要求1所述的进气管结构，其特征在于，所述引流孔的直径为1-6mm。7.根据权利要求1所述的进气管结构，其特征在于，所述导流部的进口端的直径为10-30mm；所述导流部的出口端的直径为5-10mm。8.根据权利要求1所述的进气管结构，其特征在于，相对于所述导流部的进口端，所述进气管本体更加靠近所述导流部的出口端的一端的开口直径不小于所述导流部的进口端的直径。9.根据权利要求1所述的进气管结构，其特征在于，所进气管本体和所述导流部一体成型。10.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的进气管结构。2CN111943210A说明书1/5页进气管结构和多晶硅还原炉技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其是涉及一种进气管结构和多晶硅还原炉。背景技术[0002]目前高纯多晶硅的主流制备工艺采用改良西门子法，即从还原炉底盘上设置的进气口向还原炉内通入含硅物料及还原气体，在通电的细硅芯表面发生化学气相沉积反应生成多晶硅；细硅芯通过底盘电极夹持稳固，结合其顶部的硅芯横梁形成导电回路实现电加热。电极一般呈蜂窝状或同心圆排布于底盘上，多个独立的物料进气口临近电极均匀分布，含硅物料及还原气体以较高流速进入还原炉，冲至还原炉顶部沿炉壁、底盘返流，经尾气出口排出。较低温度的反应气体使得还原炉底部温度偏低，细硅芯底部生长较慢，不利于还原炉运行前中期的硅棒稳定。相对固定的流道(进气沿中部向上，沿封头、炉壁、底盘向下排出)及高流动速率使得上升气体受挤压偏向中心，导致部分硅棒中下部区域生长偏心，影响硅棒的垂直度，甚至导致倒棒现象。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种进气管结构和多晶硅还原炉，以缓解了现有技术中相对固定的流道及高流动速率使得上升气体受挤压偏向中心，导致部分硅棒中下部区域生长偏心，影响硅棒的垂直度，甚至导致倒棒的技术问题。[0004]本发明提供的进气管结构，包括进气管本体，所述进气管本体内设置有导流部，所述导流部的进口端与所述进气管本体的内壁连接，沿物料的流动方向，所述导流部的横截面积逐渐减小；[0005]所述进气管本体对应所述导流部的出口端的侧壁上设置有引流孔。[0006]进一步的，所述导流部的出口端位于所述引流孔的上边沿与所述引流孔的下边沿之间。[0007]进一步的，所述引流孔的数量为多个，且沿所述进气管本体的周向均布。[0008]进一步的，所述引流孔的数量为2-8个。[0009]进一步的，所述引流孔为圆形孔。[0010]进一步的，所述引流孔的直径为1