一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机及其镀膜工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111962037A(43)申请公布日2020.11.20(21)申请号202010927773.X(22)申请日2020.09.07(71)申请人温岭市华航电子科技有限公司地址317500浙江省台州市温岭市大溪镇高田村一级公路北侧(72)发明人林卫良(74)专利代理机构杭州浙科专利事务所(普通合伙)33213代理人吴秉中(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/24(2006.01)C23C14/14(2006.01)C23C14/56(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机及其镀膜工艺(57)摘要本发明提供了一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机及其镀膜工艺，属于镀金属膜设备技术领域。它解决了现有不同的金属靶材其溅射出的靶材原子在各个靶材表面沉积的问题。本磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，包括真空室以及设置于真空室内的卷绕系统、溅射源和蒸发炉，卷绕系统包含有至少为两个的镀膜鼓，且相邻两镀膜鼓之间设置有起隔离作用的真空腔，真空腔内的真空度大于真空室的真空度，每个镀膜鼓对应一种溅射源，真空室内位于镀膜鼓的侧方设置有蒸发炉。本发明具有可以有效防止溅射靶材之间发生相互干扰的优点，且该工艺可以配合溅射和热蒸发多重镀膜。CN111962037ACN111962037A权利要求书1/1页1.一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，包括真空室（1）以及设置于真空室（1）内的卷绕系统（2）、溅射源（3）和蒸发炉（4），其特征在于，所述的卷绕系统（2）包含有至少为两个的镀膜鼓（201），且相邻两镀膜鼓（201）之间设置有起隔离作用的真空腔（5），所述真空腔（5）内的真空度大于真空室（1）的真空度，每个所述的镀膜鼓（201）对应一种溅射源（3），所述的真空室（1）内位于镀膜鼓（201）的侧方设置有蒸发炉（4）。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，其特征在于，所述的卷绕系统（2）包括镀膜鼓（201）、放卷辊（202）、收卷辊（203）、张力辊（204）、若干展平辊（205）、若干测量辊（206）和若干过辊（207），电容膜安装于放卷辊（202）上其电晕面内外结合依次穿过各个辊筒达到收卷辊（203）。3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，其特征在于，所述真空室（1）的两侧均依次连接有分子泵（6）、罗茨泵（7）和旋片泵（8）。4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，其特征在于，所述的真空腔（5）通过连接单独一真空泵抽取真空。5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，其特征在于，所述的镀膜鼓（201）内设置有深冷捕集系统其制冷温度为-120℃。6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，其特征在于，所述的溅射源（3）为铜靶材和铝靶材，所述的蒸发炉（4）为锌炉。7.一种镀膜工艺，在上述权利要求1至6任一项所述的磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机中完成镀膜，其特征在于，电容膜依次经过两个镀膜鼓通过铜靶材和铝靶材对其表面镀铜和镀铝，接着再通过锌炉对其表面进行镀锌，本镀膜工艺为低温镀膜，即镀膜鼓设定温度为零下20±5℃，卷绕速度为4～8m/s。8.根据权利要求7所述的一种镀膜工艺中，所述电容膜为合金膜时其卷绕速度为8m/s。9.根据权利要求7所述的一种镀膜工艺中，所述电容膜为金属膜时其卷绕速度为4m/s。2CN111962037A说明书1/4页一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机及其镀膜工艺技术领域[0001]本发明属于镀金属膜设备技术领域，涉及一种真空镀膜机，特别涉及一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机及其镀膜工艺。背景技术[0002]真空镀膜指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。物理气相沉积技术具有膜基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材广泛、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定和重复性好等优点。因此目前电容膜的镀膜均通过磁控溅射和热蒸发实现。[0003]现有技术中，如专利号为【201510005916.0】所公开的柔性基材磁控溅射卷绕镀膜机，其主要通过在一个镀膜鼓外圈圆周分布溅射源实现对柔性基材的多层镀膜，但是在实际应用，上述结构的镀膜机其作为溅射源的金属靶材无法做到有效的相互隔离，使各个靶材之间发生相互影响，即不同的金属靶材其溅射出的靶材原子在各个靶材表面沉积，严重影响了靶材的溅射并使