一种紫外光纤及其制备方法.pdf
一吃****昕靓
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一种紫外光纤及其制备方法.pdf
本发明涉及一种紫外光纤及其制备方法,先制作玻璃光纤预制棒,将玻璃光纤预制棒装夹到拉丝炉,在高温下将玻璃光纤预制棒拉制成光纤,其特征在于将拉制的光纤进行载氢预处理,最后将载氢预处理的光纤进行紫外辐照固化。本发明通过光纤载氢处理,使氢气分子渐渐渗入光纤,紫外辐照固化将紫外射线耦合进载氢光纤的纤芯,引起纤芯折射率的改变,对光纤的色心缺陷起到很好的弥补作用,大大的提升了光纤在紫外波段的透过率,光纤在紫外波段的吸收系数大大降低,有效提高光纤在紫外波段的传输效率,使其在紫外激光的传输及加工领域有重要应用价值。本发明提
一种紫外LED芯片及其制备方法.pdf
本发明提供一种紫外LED芯片及其制备方法,该紫外LED芯片包括发光外延层,所述发光外延层包括第一台面和第二台面,形成在第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上的绝缘保护层,绝缘保护层包括含Al的绝缘层,并且可以形成单层或者多层堆叠结构。采用含Al的绝缘保护层可以减少外延层中的Al离子被置换,同时可以有效补偿芯片制程中外延层缺失的Al离子,且不会影响外延层中的Si掺杂,从而不会损伤外延层,避免外延层老化失效。含Al的绝缘保护层在紫外波段的吸收率较低,同时形成多层结构的含Al绝缘层时,可以形成高低折射率的绝缘膜
一种深紫外LED及其制备方法.pdf
本发明公开了一种深紫外LED的制备方法,包括以下步骤:(1)在SiC衬底上制备GaN薄膜;(2)在步骤(1)制备得到的GaN薄膜上制备AlN薄膜,得到SiC/GaN/AlN;(3)将SiC/GaN/AlN的AlN薄膜键合到蓝宝石衬底的上表面;(4)剥离SiC衬底,然后再利用膜分离技术去除GaN层,得到蓝宝石/AlN模板衬底;(5)在蓝宝石/AlN模板衬底的AlN薄膜上依次生长AlGaN过渡层、n?AlGaN层、量子阱层、p?AlGaN薄膜、p?GaN薄膜和p型电极反射层。本发明还公开了上述方法制备的深紫外
一种超模光纤及其制备方法.pdf
本申请提供了一种超模光纤及其制备方法,涉及通信技术领域,以解决超模光纤通信性能不良的技术问题。本申请提供的超模光纤包括包层和M个芯簇;每个芯簇包括N个纤芯;N个纤芯间隔的设置在包层中;其中,纤芯的截面形状为非圆形,M为大于等于1的正整数,N为大于1的正整数;在本申请提供的超模光纤中,通过将纤芯的截面设置成非圆形,使得在同一芯簇内能够设置更多的纤芯,有利于提升空间利用率和空分复用密度,也有利于实现模式高度简并度,降低簇内数字信号处理的复杂度。
一种可紫外光固化的光纤内涂涂层涂料及其制备方法.pdf
本发明涉及了一种可紫外光固化的光纤内涂涂层涂料及其制备方法,该发明提供了可以紫外光固化光纤内涂组合物,其包含:低聚物;稀释单体;氘代化合物;引发剂;抗氧化剂。其中光引发剂是指吸收395nm的紫外光引发剂,所述低聚物是如下物质的反应产物:含羟基的丙烯酸酯;脂肪族异氰酸酯;聚酯二元醇;聚合抑制剂;催化剂;其中,所述低聚物的数均分子量为约3000g/mol;并且其中所述聚酯二元醇分子量约为2000,所述催化剂选自环烷酸铋的有机铋催化剂。所得的固化膜具有玻璃化温度约-15℃至约-35℃和约1.2MPa至约2.10