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本发明公开了一种深紫外LED的制备方法,包括以下步骤:(1)在SiC衬底上制备GaN薄膜;(2)在步骤(1)制备得到的GaN薄膜上制备AlN薄膜,得到SiC/GaN/AlN;(3)将SiC/GaN/AlN的AlN薄膜键合到蓝宝石衬底的上表面;(4)剥离SiC衬底,然后再利用膜分离技术去除GaN层,得到蓝宝石/AlN模板衬底;(5)在蓝宝石/AlN模板衬底的AlN薄膜上依次生长AlGaN过渡层、n?AlGaN层、量子阱层、p?AlGaN薄膜、p?GaN薄膜和p型电极反射层。本发明还公开了上述方法制备的深紫外LED。本发明解决了晶格失配而导致AlN存在较多位错的问题,同时提高了深紫外LED的出光效率。