一种深紫外LED及其制备方法.pdf
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一种紫外LED芯片及其制备方法.pdf
本发明提供一种紫外LED芯片及其制备方法,该紫外LED芯片包括发光外延层,所述发光外延层包括第一台面和第二台面,形成在第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上的绝缘保护层,绝缘保护层包括含Al的绝缘层,并且可以形成单层或者多层堆叠结构。采用含Al的绝缘保护层可以减少外延层中的Al离子被置换,同时可以有效补偿芯片制程中外延层缺失的Al离子,且不会影响外延层中的Si掺杂,从而不会损伤外延层,避免外延层老化失效。含Al的绝缘保护层在紫外波段的吸收率较低,同时形成多层结构的含Al绝缘层时,可以形成高低折射率的绝缘膜
一种深紫外LED及其制备方法.pdf
本发明公开了一种深紫外LED的制备方法,包括以下步骤:(1)在SiC衬底上制备GaN薄膜;(2)在步骤(1)制备得到的GaN薄膜上制备AlN薄膜,得到SiC/GaN/AlN;(3)将SiC/GaN/AlN的AlN薄膜键合到蓝宝石衬底的上表面;(4)剥离SiC衬底,然后再利用膜分离技术去除GaN层,得到蓝宝石/AlN模板衬底;(5)在蓝宝石/AlN模板衬底的AlN薄膜上依次生长AlGaN过渡层、n?AlGaN层、量子阱层、p?AlGaN薄膜、p?GaN薄膜和p型电极反射层。本发明还公开了上述方法制备的深紫外
一种紫外LED外延片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种紫外LED外延片,包括玻璃衬底,依次生长在玻璃衬底上的金属层、多晶AlN层、单晶AlN层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、p型掺杂AlGaN层和p型掺杂GaN层。本发明还公开了一种紫外LED外延片制备方法,根据各层特性,将电镀法、磁控溅射法、物理气相沉积法和分子束外延生长技术结合。本发明能生长出缺陷少、质量高的GaN材料,衬底易去除,导热、导电性好,发光性能高;本发明生产工艺简单,成本低,具有可重复性,可实现大规模的生产应用。
一种深紫外LED封装结构及其制备方法.pdf
本发明涉及一种深紫外LED封装结构及其制备方法,其中无机深紫外LED封装结构包括陶瓷基板、玻璃盖板和LED芯片,陶瓷基板安装有若干个LED芯片,玻璃盖板贴合在陶瓷基板装有LED芯片一侧;玻璃盖板设置有容纳LED芯片的凹槽,凹槽的内表面与LED芯片的边缘贴合或留有间隙。采用平面陶瓷基板大大降低器件材料成本,直接采用平面玻璃盖板上设置有容纳LED芯片的凹槽,凹槽大小与LED芯片的大小相等或略大于LED芯片,因此玻璃盖板在盖合后,深紫外LED芯片与玻璃盖板几乎完全贴合,光线直接由LED芯片射入玻璃盖板,减少一次
AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法,该外延结构包括衬底及外延层,所述外延层包括沿外延方向依次生长的N型半导体层、低温应力释放层、有源区发光层、电子阻挡层、p型渐变AlGaN空穴注入层及p型接触层;所述p型渐变AlGaN空穴注入层的Al组分含量沿外延方向递减,且所述p型渐变AlGaN空穴注入层掺杂有Mg,其中,Mg的掺杂浓度沿外延方向递增;所述p型接触层为低掺杂Al、高掺杂Mg的Al