一种紫外LED芯片及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110491980A(43)申请公布日2019.11.22(21)申请号201910704177.2(22)申请日2019.07.31(71)申请人厦门三安光电有限公司地址361100福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号(72)发明人黄敏刘小亮彭康伟林素慧(74)专利代理机构北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)11479代理人陈敏(51)Int.Cl.H01L33/44(2010.01)H01L33/46(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种紫外LED芯片及其制备方法(57)摘要本发明提供一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片包括发光外延层，所述发光外延层包括第一台面和第二台面，形成在第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上的绝缘保护层，绝缘保护层包括含Al的绝缘层，并且可以形成单层或者多层堆叠结构。采用含Al的绝缘保护层可以减少外延层中的Al离子被置换，同时可以有效补偿芯片制程中外延层缺失的Al离子，且不会影响外延层中的Si掺杂，从而不会损伤外延层，避免外延层老化失效。含Al的绝缘保护层在紫外波段的吸收率较低，同时形成多层结构的含Al绝缘层时，可以形成高低折射率的绝缘膜层叠结构，由此可达到提亮的目的。CN110491980ACN110491980A权利要求书1/2页1.一种紫外LED芯片，其特征在于，包括：发光外延层，所述发光外延层包括第一台面和第二台面，所述第一台面包括第一半导体层，所述第二台面包括形成在所述第一半导体层上的有源层以及形成在所述有源层上方与所述第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层；以及形成在所述发光外延层上方的绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上，所述绝缘保护层包括含Al的绝缘层。2.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层包括至少一层绝缘层，其中与所述发光外延层直接接触的底层绝缘层包括含Al的绝缘层。3.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层包括至少一层绝缘层，所述至少一层绝缘层均包括含Al的绝缘层。4.根据权利要求1-3中任一项所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层由Al2O3、AlN、AlON和AlF3中的至少一种形成。5.根据权利要求4所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层具有电极通孔，所述紫外LED芯片还包括通过所述电极通孔形成的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。6.根据权利要求5所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述第一电极包括形成在所述第一半导体层上方的第一金属接触层以及形成在所述电极通孔内并覆盖所述电极通孔与所述第一金属接触层连接的第一电极层；所述第二电极包括形成在所述第二半导体层上方的金属反射层以及形成在所述电极通孔内并覆盖所述电极通孔与所述金属反射层连接的第二电极层。7.根据权利要求6所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层包括由第一绝缘层和第二绝缘层交替形成的层叠结构，其中，所述第一绝缘层的折射率小于所述第二绝缘层的折射率，所述绝缘保护层的所述层叠结构形成所述紫外LED芯片的反射结构。8.根据权利要求7所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层包括AlF3，所述第二绝缘层包括AlN。9.一种紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：形成发光外延层，依次沉积第一半导体层、有源层、与所述第一半导体层导电类型相反的第二半导体层，所述第一半导体层形成所述发光外延层的第一台面，所述有源层及所述第二半导体层形成所述发光外延层的第二台面；在所述发光外延层上方形成绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述第一台面和所述第二台面的表面及侧面，并且所述绝缘保护层包括含Al的绝缘层。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述发光外延层上方形成绝缘保护层包括在所述发光外延层上方依次沉积至少一层绝缘层，其中与所述发光外延层直接接触的底层绝缘层包括含Al的绝缘层。11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述发光外延层上方形成绝缘保护层包括在所述发光外延层上方依次沉积至少一层绝缘层，所述至少一层绝缘层均包括含Al的绝缘层。12.根据权利要求9-11中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘保护层由Al2O3、AlN、AlON和AlF3中的至少一种形成。2CN110491980A权利要求书2/2页13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：分别在所述第一台面和所述第二台面上方的所述绝缘保护层中形成电极通孔；在所述电极通孔中分