玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112063985A(43)申请公布日2020.12.11(21)申请号202010912066.3(22)申请日2020.09.02(71)申请人山东司莱美克新材料科技有限公司地址256401山东省淄博市桓台县果里镇创智谷B5一层(72)发明人乔利杰宋述兵王瑞俊王博(74)专利代理机构淄博市众朗知识产权代理事务所(特殊普通合伙)37316代理人程强强(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/50(2006.01)C03C17/09(2006.01)C23C14/18(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法(57)摘要本发明属于真空溅射方法技术领域，具体的涉及一种玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法。玻璃经振荡清洗后高温烘干，然后将玻璃挂在真空磁控溅射反应炉的转架上；玻璃随真空磁控溅射反应炉的转架进行圆周旋转，通入氩气，调节真空度至1.2‑1.8×10‑1pa，对玻璃进行离子源清洗；通入氮气，维持真空度在1.2‑1.9×10‑1pa，打开偏压电源，进行反应溅射镀；关闭SiAl靶材直流控制电源，调节真空度至1.2‑1.8×10‑1pa，然后打开铜靶材直流控制电源，进行磁控溅射镀铜，最后经后处理即得到镀铜玻璃。本发明所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，参数设计合理，易于操作，易于实现工业化生产，且制备的薄膜附着性好。CN112063985ACN112063985A权利要求书1/1页1.一种玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：由以下步骤组成：(1)玻璃经振荡清洗后高温烘干，然后将烘干后的玻璃挂在真空磁控溅射反应炉的转架上，真空磁控溅射反应炉内放置2个SiAl靶材，3个铜靶材，反应溅射的气体为氮气，保护气体为氩气；(2)玻璃随真空磁控溅射反应炉的转架进行圆周旋转，抽真空到3.0×10-4pa-7.0×10-4pa，然后通入氩气，调节真空度至1.2-1.8×10-1pa，打开离子源，对玻璃进行离子源清洗；(3)通入氮气，调整氩气流量，维持真空度在1.2-1.9×10-1pa，打开偏压电源，打开SiAl靶材直流控制电源，进行反应溅射镀；(4)关闭SiAl靶材直流控制电源，关闭氮气，调节氩气流量，调节真空度至1.2-1.8×10-1pa，然后打开铜靶材直流控制电源，进行磁控溅射镀铜，最后经后处理即得到镀铜玻璃。2.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(1)中所述的玻璃是硅酸盐玻璃。3.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(1)中所述的采用超声波振荡清洗，在金属清洗剂中清洗30-35min，温度设定为60-65℃，然后在两个去离子水池中分别振荡清洗15-20min，温度设定为60-65℃，最后于140-160℃的高温烘烤箱中烘烤30-35min。4.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(2)所述的离子源清洗时间为10-15min，真空度为1.4-1.8×10-1pa，离子源电压为1800-2000V，占空比设置为60％-80％。5.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(3)中所述的氮气与氩气的流量比为1:1.2。6.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(3)中所述的反应溅射镀偏压电压为250-350V，电流为3-7A。7.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(3)中所述的反应溅射镀镀膜时间为3-5min，镀膜温度为150-200℃，镀膜厚度为20-30纳米。8.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(4)中所述的镀铜时间为2-4min，镀铜厚度为100-150纳米。9.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法，其特征在于：步骤(4)中所述的后处理为关闭氩气，然后关闭电源，等待真空磁控溅射反应炉内温度降到≤40℃，开炉取样即得到镀铜玻璃。2CN112063985A说明书1/6页玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法技术领域[0001]本发明属于真空溅射方法技术领域，具体的涉及一种玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法。背景技术[0002]金属化后的玻璃与金属进行直接钎焊，已经被广泛使用。这种方法通常是先通过各种镀膜技术，如气相沉积、磁控溅射、溶液旋涂、真空蒸镀等，在玻璃表面镀一层金属薄膜，以此实现玻璃表面的金属化，然后与金属板直接钎焊。这层金属薄膜不仅改善了钎料在玻璃表面的润湿性，同时也促进了界面反应，有利于形成可靠稳定的连接接头。[0003]真空溅射镀膜技术由于它所采用的靶源温度很高，所以特别