用于单晶炉的坩埚组件和单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112210822A(43)申请公布日2021.01.12(21)申请号202010948849.7(22)申请日2020.09.10(71)申请人徐州鑫晶半导体科技有限公司地址221004江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号(72)发明人黄末陈翼刘奇刘林艳高海棠(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人肖阳(51)Int.Cl.C30B15/10(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图3页(54)发明名称用于单晶炉的坩埚组件和单晶炉(57)摘要本发明公开了一种用于单晶炉的坩埚组件和单晶炉，包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，第一坩埚内限定出盛放空间，第二坩埚设在盛放空间内且与第一坩埚共同限定出第一腔室，第三坩埚设在第二坩埚内且与第二坩埚共同限定出第二腔室，第三坩埚内限定出第三腔室。其中，第二坩埚上形成有第一连通孔以连通第一腔室和第二腔室，第三坩埚上形成有第二连通孔以连通第二腔室和第三腔室，第一连通孔的孔径为d1，第二连通孔的孔径为d2，d1、d2满足：d1＜d2，第一腔室适于构造成下料区，第三腔室适于构造成晶体生长区。根据本发明的用于单晶炉的坩埚组件，有利于提升熔汤的均匀性，避免出现杂质击中，且保证熔汤流动顺畅，实现生产稳定。CN112210822ACN112210822A权利要求书1/2页1.一种用于单晶炉(200)的坩埚组件(100)，其特征在于，所述单晶炉(200)包括炉体(101)，所述坩埚组件(100)适于设在所述炉体(101)内，且包括：第一坩埚(1)，所述第一坩埚(1)内限定出盛放空间(100a)，所述盛放空间(100a)的顶侧敞开设置；第二坩埚(2)，所述第二坩埚(2)设在所述盛放空间(100a)内且与所述第一坩埚(1)共同限定出第一腔室(R1)；第三坩埚(3)，所述第三坩埚(3)设在所述第二坩埚(2)内且与所述第二坩埚(2)共同限定出第二腔室(R2)，所述第三坩埚(3)内限定出第三腔室(R3)，其中，所述第二坩埚(2)上形成有第一连通孔(20)以连通所述第一腔室(R1)和所述第二腔室(R2)，所述第三坩埚(3)上形成有第二连通孔(30)以连通所述第二腔室(R2)和所述第三腔室(R3)，所述第一连通孔(20)的孔径为d1，所述第二连通孔(30)的孔径为d2，，d1、d2满足：d1＜d2，所述第一腔室(R1)适于构造成下料区(Ω1)，所述第三腔室(R3)适于构造成晶体生长区(Ω2)。2.根据权利要求1所述的用于单晶炉(200)的坩埚组件(100)，其特征在于，所述第一连通孔(20)形成在所述第二坩埚(2)的底部且邻近所述第二坩埚(2)的R角设置，所述第一连通孔(20)为多个，多个所述第一连通孔(20)包括第一进料孔(20a)和第二进料孔(20b)，所述第二进料孔(20b)位于所述第一进料孔(20a)的上方。3.根据权利要求1所述的用于单晶炉(200)的坩埚组件(100)，其特征在于，所述第二连通孔(30)形成在所述第三坩埚(3)的远离所述第一连通孔(20)的一侧。4.根据权利要求1所述的用于单晶炉(200)的坩埚组件(100)，其特征在于，所述第一坩埚(1)包括第一本体(11)，所述第二坩埚(2)包括第二本体(21)，所述第三坩埚(3)包括第三本体(31)，所述第一本体(11)、所述第二本体(21)和所述第三本体(31)均形成为圆筒结构，所述第一本体(11)、所述第二本体(21)和所述第三本体(31)由外向内依次设置且同轴设置，所述第一本体(11)的直径D1、所述第二本体(21)的直径D2和所述第三本体(31)的直径D3满足：Dn+1＝Dn*Xn，其中，n＝1、2，60％≤Xn≤80％。5.根据权利要求1所述的用于单晶炉(200)的坩埚组件(100)，其特征在于，还包括：第四坩埚(4)，所述第四坩埚(4)设在所述第一腔室(R1)内以将所述第一腔室(R1)分隔成第一子腔室(R11)和第二子腔室(R12)，所述第四坩埚(4)上形成有第三连通孔(40)以连通所述第一子腔室(R11)和所述第二子腔室(R12)，所述第二子腔室(R12)通过所述第一连通孔(20)与所述第二腔室(R2)连通。6.根据权利要求5所述的用于单晶炉(200)的坩埚组件(100)，其特征在于，所述第三连通孔(40)的孔径为d3，所述d3满足：d3＜d1。7.根据权利要求5所述的用于单晶炉(200)的坩埚组件(100)，其特征在于，所述第三连通孔(40)形成在所述第四坩埚(4)的底部且邻近所述第四坩埚(4)的R角设置，所述第三连通孔(40)为多个，多个所述第三连通孔(40)包括第三进料孔(40a)和第四进料孔(40b)，所述第四进料孔