用于单晶炉的坩埚支承组件和单晶炉.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115506008A(43)申请公布日2022.12.23(21)申请号202211185423.6(22)申请日2022.09.27(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人杨文武(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师宋东阳侯丽丽(51)Int.Cl.C30B15/30(2006.01)C30B15/12(2006.01)C30B29/06(2006.01)F16F15/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称用于单晶炉的坩埚支承组件和单晶炉(57)摘要本公开涉及用于单晶炉的坩埚支承组件和单晶炉，该用于单晶炉的坩埚支承组件包括：坩埚托盘，其用于支承坩埚；以及坩埚轴，其包括与动力源连接的第一端部和与坩埚托盘连接的第二端部，以用于通过由动力源驱动旋转而带动坩埚旋转，其中，坩埚支承组件设置有用于缓冲坩埚支承组件的震动的吸震结构。通过该坩埚支承组件，可以阻隔或至少减少震动向坩埚的传递，由此消除或至少减弱坩埚中硅溶液的液面的抖动，降低由此造成的晶体断线和晶体中形成疏松孔的风险。CN115506008ACN115506008A权利要求书1/1页1.一种用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，包括：坩埚托盘，其用于支承坩埚；以及坩埚轴，其包括与动力源连接的第一端部和与所述坩埚托盘连接的第二端部，以用于通过由所述动力源驱动旋转而带动所述坩埚旋转，其中，所述坩埚支承组件设置有用于缓冲所述坩埚支承组件的震动的吸震结构。2.根据权利要求1所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述吸震结构包括设置在所述坩埚轴的所述第一端部与所述动力源的连接处的第一端部吸震结构。3.根据权利要求2所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述第一端部呈沿轴向方向向下渐缩的锥形，并且所述第一端部吸震结构呈与所述第一端部的形状对应的形状并能够套设在所述第一端部的外表面上。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述吸震结构包括设置在所述坩埚轴的所述第二端部与所述坩埚托盘的连接处的第二端部吸震结构。5.根据权利要求4所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述第二端部包括呈沿轴向方向向上渐扩的锥形的凹部，并且所述坩埚托盘包括凸部，所述凸部呈与所述凹部的形状对应的形状，使得所述凸部能够被配装在所述凹部中，并且所述第二端部吸震结构包括呈与所述凹部的形状对应的形状并能够被布置在所述凸部与所述凹部之间的部分。6.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述吸震结构包括以夹心形式设置在所述坩埚托盘内的内部吸震结构。7.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述吸震结构包括设置在所述坩埚轴的所述第二端部与所述坩埚托盘的连接处的第二端部吸震结构以及以夹心形式设置在所述坩埚托盘内的内部吸震结构。8.根据权利要求4所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述坩埚托盘、所述第二端部吸震结构和所述坩埚轴均为中空结构，使得在所述坩埚支承组件中形成用于在所述坩埚中的硅溶液发生泄漏时容纳所泄漏的硅溶液的中空腔体。9.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的坩埚支承组件，其特征在于，所述吸震结构由硅氧烷共聚形成的弹性共聚物制成。10.一种单晶炉，其特征在于，包括根据权利要求1至9中的任一项所述的用于单晶炉的坩埚支承组件。2CN115506008A说明书1/5页用于单晶炉的坩埚支承组件和单晶炉技术领域[0001]本公开涉及半导体技术领域，具体地，涉及用于单晶炉的坩埚支承组件和单晶炉。背景技术[0002]单晶硅棒的生产例如可以利用单晶炉通过直拉法进行。在该生产中，高纯度的多晶硅原料被投入坩埚中并熔化成硅溶液，当拉晶时，坩埚会在动力源如电机的带动下进行旋转运动，同时籽晶被浸入液面并被慢慢旋转拉出，最终拉制形成圆柱形的单晶硅棒。[0003]然而，发现了在拉晶过程中，坩埚中硅溶液的液面会发生抖动，而液面抖动对拉晶的正常进行是极为不利的，很大程度上影响了晶体的正常生长。具体而言，单晶生长过程对固、液、气三相点的稳定性要求很高，不允许有抖动或说波动现象，而当液面出现抖动时，该抖动会传输至三相点并很可能会导致晶体断线，失去单晶品质，同时抖动还会导致在晶体中形成疏松孔(PinHole)，这种缺陷会影响后端芯片电路的铺设，以致产生漏电现象。[0004]此外，坩埚通常包括内侧的石英坩埚和外侧的石墨坩埚。拉晶过程中，石英坩埚与硅溶液会发生反应并因此被不断消耗，并且石英坩埚与石墨坩埚之间也会发生