一种高纯钽板及其热处理方法.pdf
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一种高纯钽板及其热处理方法.pdf
本发明公开了一种高纯钽板及其热处理方法,涉及热处理技术领域,其平均晶粒尺寸小于30μm,平均晶粒尺寸的标准偏差小于3μm,方法包括:将经过塑性变形后的高纯钽板置于热处理炉中,加热至500~700℃,恒温热处理80~120min;将热处理温度降低或升高100~200℃,继续对高纯钽板恒温热处理70~100min;将热处理温度升高至1030~1130℃,继续对高纯钽板恒温热处理60~90min;待高纯钽板冷却至90~150℃时,打开炉门并冷却至室温。本发明的有益效果是通过对高纯钽板进行多级退火处理,在不增加钽
一种高纯钽锭及其制备方法.pdf
本发明涉及一种高纯钽锭及其制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)将高熔点金属杂质含量较低的钽粉成型;(2)在真空下高温烧结制得钽棒、钽条或者钽块,采用同样纯度的钽丝制备真空电子束熔炼用的熔炼电极;(3)采用真空电子束熔炼炉进行至少两次熔炼,要求第一次熔炼采用水平进料或者垂直进料方式,在第二次或者第二次以后的熔炼均采用垂直进料方式;在进行第二次或者第二次以后的电极熔炼时要求电极旋转,控制旋转速度为0.3‑0.8r/min。通过熔炼的工艺控制,其熔炼的钽铸锭纯度高,尤其间隙杂质元素C、O、N、H较低,其铸锭
一种用废钽块制取高纯钽锭的方法.pdf
本发明公开了一种用废钽块制取高纯钽锭的方法,其特征在于该方法依次历经下述步骤:以含双氧水的稀硝酸溶液多次浸泡除锰,到锰含量低于200PPm后水洗、烘干;将烘干之废钽块放入真空炉内于10-2Pa下加热至800℃后保温2小时,向炉内充入0.1大气压的氢气使废钽块吸氢自然破碎,等炉温自然降至室温后出炉;取破碎废钽块过筛后按检测结果添加所需成分并搅拌混粉,再入模压制成钽条并在真空炉内烧结成型;将钽条在电子轰击炉内化锭提纯后出炉,电子轰击炉的扫描方式为从大圆到小圆、由外至内渐进式圆扫描。本发明优点:对环境影响相当小
一种高纯钽靶材的生产方法.pdf
本发明涉及一种高纯钽靶材的生产方法,其包括(1)将大小为5~10mm*5~10mm的钽块置于氢化炉中进行吸氢;(2)将吸氢完毕的钽破碎成-200目的粉末,置于钢包套中,按一定速率和阶段进行升温和抽气,之后将钢包套置于热等静压机中进行烧结,烧结温度为1100~1500℃,气氛压力为50~200MPa,最后机加工,切割成规定形状,即得。本发明采取粉末冶金的方法并结合特定的工艺条件,可以获得织构分布均匀、晶粒大小分布均匀且晶粒尺寸小的钽靶材,该靶材具有高沉积速度和较好的膜均一性,产生出较少的电弧和粒子并具有较好
高纯钽靶材制备方法.pdf
本发明提供的高纯钽靶材制备方法,包括:将钽粉混合均匀;将混合好的钽粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钽锭、然后对钽锭反复进行塑性变形和退火制得钽靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钽靶坯,消除钽的“固有织构带”,获得内部织构均匀的可用于半导体靶材制造用的钽靶坯。