一种等离子体增强原子层沉积镀膜装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112391611A(43)申请公布日2021.02.23(21)申请号201910749095.X(22)申请日2019.08.14(71)申请人湖南红太阳光电科技有限公司地址410205湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号(72)发明人朱辉成秋云吴得轶郑达敏郭艳(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008代理人周长清徐好(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/50(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称一种等离子体增强原子层沉积镀膜装置(57)摘要本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积镀膜装置，包括反应炉、第一进气支路和第二进气支路，所述反应炉一端设有用于进气的进气端盖，所述第一进气支路和第二进气支路均与所述进气端盖相连、且交替进气。本发明具有有利于使气体反应更加充分、膜层更加均匀、膜厚可以更加精准控制、减少环境污染等优点。CN112391611ACN112391611A权利要求书1/2页1.一种等离子体增强原子层沉积镀膜装置，包括反应炉(9)、第一进气支路(10)和第二进气支路(17)，其特征在于：所述反应炉(9)一端设有用于进气的进气端盖(18)，所述第一进气支路(10)和第二进气支路(17)均与所述进气端盖(18)相连、且交替进气。2.根据权利要求1所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述第一进气支路(10)上沿气体流动方向依次设有手动开关阀(21)、流量计(22)及第一气动隔膜阀(23)，第一进气支路(10)一侧设有材料源瓶(24)，所述材料源瓶(24)的进气口与所述第一进气支路(10)之间连接有第二气动隔膜阀(25)，材料源瓶(24)的出气口与所述第一进气支路(10)之间连接有第三气动隔膜阀(26)，所述第二气动隔膜阀(25)与第一进气支路(10)的连接处、第三气动隔膜阀(26)与第一进气支路(10)的连接处分设于所述第一气动隔膜阀(23)的两端。3.根据权利要求1所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述进气端盖(18)上沿周向均匀设有多个弧形进气槽(19)，所述弧形进气槽(19)上沿周向均匀设有多个进气孔(20)，各所述进气孔(20)沿径向布置，所述第一进气支路(10)和第二进气支路(17)均与各所述弧形进气槽(19)连通。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述反应炉(9)上绕设有铠装电热部件，所述铠装电热部件包括柔性套管(27)，所述柔性套管(27)内设有至少一根电加热丝(28)，所述电加热丝(28)与所述柔性套管(27)之间设有绝缘填充物(29)。5.根据权利要求4所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述柔性套管(27)为橡胶管，所述绝缘填充物(29)为氧化镁。6.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述反应炉(9)内设有石墨舟(31)，所述石墨舟(31)远离所述进气端盖(18)的一端于对角处设有电极，所述电极上连接有电源引线(35)。7.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述反应炉(9)外周设有炉壳(32)，所述炉壳(32)两端延伸至所述反应炉(9)的两侧，所述进气端盖(18)与所述炉壳(32)一端密封配合，所述炉壳(32)另一端配设有排气端盖(30)，所述进气端盖(18)和所述排气端盖(30)上均设有加长段(33)，所述加长段(33)延伸至所述反应炉(9)的端部。8.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述反应炉(9)另一端依次设有粉尘捕捉装置和真空泵(34)，所述粉尘捕捉装置包括捕捉腔室(1)，所述捕捉腔室(1)内沿尾气的流动方向依次设有用于对尾气进行加热的加热区(11)、用于对尾气进行冷却的冷却区(12)、以及用于对尾气进行过滤的过滤区(13)，所述加热区(11)配设有水汽输入管(7)。9.根据权利要求8所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述加热区(11)内设有加热管(2)及与加热管(2)相连的多层加热隔板(3)，各所述加热隔板(3)倾斜布置，相邻两层所述加热隔板(3)相互错开。10.根据权利要求9所述的等离子体增强原子层沉积镀膜装置，其特征在于：所述冷却区(12)内设有冷却液输入管(5)、以及多层水平布置的第一冷却隔板(41)，所述第一冷却隔板(41)下方设有多块倾斜布置的第二冷却隔板(42)，多块所述第二冷却隔板(42)对称布置2CN112391611A权利要求书2/2页于所述第一冷却隔板(41)的两端，所述第一冷却隔