炉管清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112570393A(43)申请公布日2021.03.30(21)申请号201910924910.1(22)申请日2019.09.27(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人黄启铭(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人虞凌霄(51)Int.Cl.B08B9/032(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称炉管清洗方法(57)摘要本发明涉及一种炉管清洗方法。该方法包括：向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁；所述清洁后向炉管内通入氮气进行清扫；所述清扫后向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫。通过向炉管内通入一氧化氮气体有效去除了炉管内残留的氟离子，使得炉管干式保养清洗后的第一炉产品表面薄膜厚度均在控制线内，且与目标值的偏差较小，去除了炉管干式清洁保养后的测机步骤，提高了炉管的利用率。CN112570393ACN112570393A权利要求书1/1页1.一种炉管清洗方法,包括：向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁；所述清洁后向炉管内通入氮气进行清扫；所述清扫后向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫的步骤中，一氧化氮气体从所述炉管底部的进气口通入所述炉管内部。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁的步骤中，氟气和氮气的混合气体中氟气和氮气的比值大于等于0.1且小于等于0.5。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于氮化硅沉积后的炉管清洗。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向炉管内通入氮气进行清扫前还包括步骤：将所述炉管升温到第一温度，所述第一温度大于等于450摄氏度且小于等于1000摄氏度。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一氧化氮的流量大于等于3标准升每分钟且小于等于15标准升每分钟。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一氧化氮的通入时间大于或等于0.5小时。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于氮化硅炉管的清洗，所述氮化硅炉管包括：石英管，氟气管路，氮气管路，一氧化氮气体管路，所述向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫的步骤是通过所述一氧化氮气体管路通入一氧化氮气体进行所述石英管的清扫。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氮化硅炉管还包括流量控制器，所述向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫的步骤是通过流量控制器测量和控制通入所述石英管内的一氧化氮气体。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氮化硅炉管为低压立式炉或低压卧式炉。2CN112570393A说明书1/4页炉管清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种炉管清洗方法。背景技术[0002]干式清洗技术已经广泛应用炉管清洗中，但是发明人发现使用氟气和氮气的混合气体清洗炉管之后，炉管作业的第一炉产品会出现膜厚偏薄的现象，因此，传统工艺中进行炉管干式保养清洗后都需要进行测机，这影响了炉管的利用率。发明内容[0003]基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的炉管清洗方法。[0004]一种炉管清洗方法,包括：[0005]向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁；[0006]所述清洁后向炉管内通入氮气进行清扫；[0007]所述清扫后向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫。[0008]在其中一个实施例中，向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫的步骤中，一氧化氮气体从所述炉管底部的进气口通入所述炉管内部。[0009]在其中一个实施例中，向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁的步骤中，氟气和氮气的混合气体中氟气和氮气的比值大于等于0.1且小于等于0.5，优选为0.35。[0010]在其中一个实施例中，所述炉管清洗方法应用于氮化硅沉积后的炉管清洗。[0011]在其中一个实施例中，所述向炉管内通入氮气进行清扫前还包括步骤：将所述炉管升温到第一温度，所述第一温度大于等于450摄氏度且小于等于1000摄氏度,优选为780摄氏度。[0012]在其中一个实施例中，所述一氧化氮的流量大于等于3标准升每分钟且小于等于15标准升每分钟，优选为10标准升每分钟。[0013]在其中一个实施例中，所述一氧化氮的通入时间大于或等于0.5小时。[0014]在其中一个实施例中，所述炉管清洗方法应用于氮化硅炉管的清洗，所述氮化硅炉管包括：石英管，氟气管路，氮气管路，一氧化氮气体管路，向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫的步骤是通过一氧化氮气体管路通入一氧化氮气体进行所述石英管的清扫。[0015]在其中一个实施例