薄膜沉积设备及半导体工艺方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112786474A(43)申请公布日2021.05.11(21)申请号201911060306.5(22)申请日2019.11.01(71)申请人芯恩（青岛）集成电路有限公司地址266000山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401(72)发明人邓伟东(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/66(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称薄膜沉积设备及半导体工艺方法(57)摘要本发明提供一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法。薄膜沉积设备包括沉积炉管、晶圆装载区及晶圆传送装置；沉积炉管用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；晶圆装置区设置有称量装置，称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；晶圆传送装置位于沉积炉管及晶圆装载区之间，用于在沉积炉管和晶圆装载区的晶圆盒之间传送晶圆。采用本发明的薄膜沉积设备可以及时掌握设备故障时晶圆所处的位置，从而为工作人员的排障作业提供参考，有助于降低晶圆被污染的风险。同时，本申请通过比较晶圆在薄膜沉积工艺前后的重量差以判断晶圆沉积的薄膜是否符合要求，相较于传统的检测方法极大简化，有助于减少检测时间、提高检测效率。CN112786474ACN112786474A权利要求书1/1页1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括：沉积炉管，用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；晶圆装载区，所述晶圆装置区设置有称量装置，所述称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；晶圆传送装置，位于所述沉积炉管及所述晶圆装载区之间，用于在所述沉积炉管和所述晶圆装载区的所述晶圆盒之间传送晶圆。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置在每片晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置在每5n片(n为大于等于1的整数)晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得所述5n片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置为2个以上。5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置的称量精度为毫克。6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述薄膜沉积设备还包括控制装置，与所述称量装置相连接。7.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括：将晶圆自晶圆盒传送至沉积炉管后，对所述晶圆进行薄膜沉积工艺；将在所述沉积炉管内完成薄膜沉积工艺的晶圆传送回所述晶圆盒后并进行称量以获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量；基于所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆的初始重量获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。8.根据权利要求7所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述薄膜沉积工艺包括多晶硅沉积工艺和氧化硅沉积工艺中的一种，所述晶圆在所述薄膜沉积工艺中的沉积膜厚大于等于200μm。9.根据权利要求7或8所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于单片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆的初始重量获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。10.根据权利要求7或8所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于5n片(n为大于等于1的整数)晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述5n片晶圆的初始重量获得所述5n片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。2CN112786474A说明书1/7页薄膜沉积设备及半导体工艺方法技术领域[0001]本发明涉及半导体芯片制造领域，特别是涉及一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法。背景技术[0002]批次型薄膜沉积工艺中，设备在装载/卸载晶圆的过程中，需要将晶圆盒从晶圆盒堆栈点转移到晶圆装载区，之后将晶圆从晶圆盒抓取到沉积腔室上并按顺序排列。这个过程需要传送装置来完成，如果在传送过程中发生故障，传送装置就会停在当前位置并产生报警以提醒工作人员进行处理。工作人员处理这种报警的流程通常包括确认传送装置上是否有晶圆以及确认传送装置是否在安全位置，根据位置的不同下不一样的指令。但这个过程中存在没办法判断传送装置是否处在安全位置的可能性，比如看不到传送装置的位置。这时候就需要将设备的后门打开，工作人员上半身进入设备中才能看到