使用LPCVD工艺沉积薄膜的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102121099A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102121099A(43)申请公布日2011.07.13(21)申请号201010022721.4(22)申请日2010.01.08(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人高剑鸣王秉国(74)专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司11018代理人王一斌王琦(51)Int.Cl.C23C16/52(2006.01)C23C16/46(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图7页(54)发明名称使用LPCVD工艺沉积薄膜的方法(57)摘要本发明公开了一种使用低压化学气相沉积工艺沉积薄膜的方法，该方法包括：在稳定阶段和沉积阶段中，维持炉管的加热器中的各个温区的温度不变，且各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次减小；在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度。通过使用本发明所提供的方法，可有效地减小在薄膜的形成过程中装载在晶舟上的各个晶圆之间的热预算差值，改善半导体元器件的电学性能，提高所生产的半导体元器件的良率，降低制造成本。CN1029ACCNN110212109902121105A权利要求书1/2页1.一种使用低压化学气相沉积工艺沉积薄膜的方法，该方法包括：晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、稳定阶段、沉积阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段；其中，在稳定阶段和沉积阶段中，维持炉管的加热器中的各个温区的温度不变，且各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次减小；在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度，以减小装载在晶舟的各个区域中的各个晶圆之间的热预算的差值，或使得装载在晶舟的各个区域中的各个晶圆之间的热预算按照各个区域的位置从下往上的顺序依次减小。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度包括：在晶舟装载阶段，将炉管的加热器中的各个温区的温度逐步升高至同一个预定温度值；在抽真空阶段，维持各个温区的温度不变；在检漏阶段，逐步调整炉管的加热器中的各个温区的温度，使得所述各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次减小。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度包括：在晶舟装载阶段，将炉管的加热器中的各个温区的温度逐步升高至各个预设的温度值，使得所述各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次增大；在抽真空阶段，维持各个温区的温度不变；在检漏阶段，逐步调整炉管的加热器中的各个温区的温度，使得所述各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次减小。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度包括：在后清除阶段阶段，将炉管的加热器中的各个温区的温度逐步升高至同一个预定温度值；在返压阶段，维持各个温区的温度不变；在晶舟卸载阶段，逐步降低炉管的加热器中的各个温区的温度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度包括：在后清除阶段阶段，逐步调整炉管的加热器中的各个温区的温度，使得所述各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次增大；在返压阶段，维持各个温区的温度不变；在晶舟卸载阶段，逐步降低炉管的加热器中的各个温区的温度。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏2CCNN110212109902121105A权利要求书2/2页阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度包括：在所述晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的任意一个阶段中，将炉管的加热器中的各个温区的温度逐步升高至同一个预定温度值；在预定的时间内，维持各个温区的温度不变；逐步调整炉管的加热器中的各个温区的温度，使得所述各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次减小。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检