薄膜沉积方法和半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103854970103854970A(43)申请公布日2014.06.11(21)申请号201210513885.6(22)申请日2012.12.04(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人刘焕新(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆苏华(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L29/06(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图3页附图3页(54)发明名称薄膜沉积方法和半导体器件(57)摘要本发明公开了一种薄膜沉积方法和半导体器件。所述薄膜沉积方法中，在将多块的晶圆放入垂直式炉管之前，在所述晶圆的背面形成一层氧化层，从而在薄膜沉积过程中，避免在晶圆的背面形成细小颗粒，并脱落后掉落在下一层晶圆的薄膜沉积面上，并由此对下一层晶圆上沉积的薄膜层造成污染，降低了晶圆上形成的薄膜质量。CN103854970ACN10385497ACN103854970A权利要求书1/2页1.一种薄膜沉积方法，包括将多块晶圆放入垂直式炉管中，进行薄膜沉积，其特征在于，在将所述晶圆放入炉管前，在所述晶圆的背面形成氧化层。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述晶圆的背面形成氧化层包括，采用DIO3溶液清洗所述晶圆背面以形成所述氧化层。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述晶圆的背面形成氧化层包括：先采用HF和HNO3的混合溶液清洗晶圆背面；之后以DIO3清洗以在晶圆背面形成第一氧化层。4.根据权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述晶圆的背面形成所述第一氧化层后，以DHF溶液除去所述第一氧化层；再以DIO3溶液清洗以在晶圆背面形成第二氧化层。5.根据权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述HF和HNO3在所述混合溶液中的体积比为1:20~200。6.根据权利要求5所述的薄膜沉积方法，其特征在于，以所述HF和HNO3的混合溶液清洗晶圆的温度为25~45℃。7.根据权利要求6所述的薄膜沉积方法，其特征在于，以所述HF和HNO3的混合溶液持续清洗晶圆3~20秒。8.根据权利要求4所述的薄膜沉积方法，其特征在于，DHF溶液体积浓度为1:50~200。9.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其特征在于，以DHF溶液清洗晶圆在室温条件下进行。10.根据权利要求9所述的薄膜沉积方法，其特征在于，以DHF溶液持续清洗晶圆0.5~2分钟。11.根据权利要求3或4所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述DIO3溶液的浓度为10~85ppm。12.根据权利要求11所述的薄膜沉积方法，其特征在于，以所述DIO3溶液在常温下清洗晶圆。13.根据权利要求12所述的薄膜沉积方法，其特征在于，以所述DIO3溶液持续清洗晶圆0.5~3分钟。14.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述多块晶圆放入垂直式炉管前，在所述晶圆的薄膜沉积面上由下至上依次形成高K介电层和蚀刻阻挡层。15.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述多块晶圆放入垂直式炉管后，在各块所述晶圆的薄膜沉积面上形成一层多晶硅层。16.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述晶圆的背面形成氧化层的厚度为10~14埃。17.一种半导体器件，其特征在于，包括基底，所述基底包括用于沉积薄膜的薄膜沉积面和背面，所述背面覆盖有一层氧化层。18.根据权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，在所述薄膜沉积面由下至上依次包括高K介电层和蚀刻阻挡层。19.根据权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，在所述薄膜沉积面上，位于所述2CN103854970A权利要求书2/2页高K介电层下方包括一层栅氧化层。20.根据权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，所述晶圆的背面覆盖的氧化层的厚度为10~14埃。3CN103854970A说明书1/6页薄膜沉积方法和半导体器件技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种薄膜沉积方法和半导体器件。背景技术[0002]随着集成电路（简称IC）制造技术的飞速发展，制作集成电路的尺寸越来越小，尤其是实现半导体器件的深亚微米结构后，集成电路中所含器件的数量不断增加，器件的尺寸也随之不断地缩小，而集成电路中，各种有机物、粒子的接触污染及各机台导致的金属杂质等污染现象更严重，这些细小的粒子污染直接影响电路中讯号传输速度，更甚者可直接造成组件短路或缺陷，导致集成电路无法使用，因此，集成电路制备过程中不允许晶圆表面上残留有污染物。[0003]随着集成电路器件尺寸因半导体集成度的提升，其尺寸