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一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺.pdf
2023-06-15
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大渊****公主
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一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺，开始，充氮，开炉门，关炉门，慢抽，升温，恒温，恒压，预沉积，沉积步骤分成三次执行，在石墨舟表面填补沉积饱和后形成稳定的碳化硅SiC膜层，第一次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第二次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第三次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，抽真空，充氮气N2，抽真空，充氮气N2回常压，开炉门，取舟，采用甲烷、硅烷对PECVD清洗后的石墨舟进行预处理饱和，石墨舟内外表面的碳化硅SiC膜层即能起到耐腐蚀膜层的作用，也具为更光滑的石墨性质，能够形成对
2023-06-15
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一种石墨舟饱和工艺.pdf
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2023-06-15
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2023-06-16
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本发明涉及一种石墨舟的饱和沉积工艺，具体为：将清洗后的石墨舟放入炉管进行饱和沉积的预准备；对所述石墨舟进行预轰击处理；对所述石墨舟沉积第一氮化硅膜；对所述石墨舟沉积碳化硅膜；对所述石墨舟沉积第二氮化硅膜。优先镀一层氮化硅，然后再镀碳化硅膜，最后再镀一层氮化硅膜，镀碳化硅膜位于两层氮化硅膜之间，可以做到碳化硅膜被腐蚀的同时，最底层氮化硅膜也同时被腐蚀，当底层的氮化硅达到被完全腐蚀去除时，碳化硅膜也达到了极大部分被腐蚀去除的状态，剩余细微部分的碳化硅也是疏松、起皮的状态。该种石墨舟饱和沉积工艺能使石墨舟更容易
2023-06-15
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本发明公开一种石墨舟饱和的工艺方法，包括如下步骤：1）将石墨舟送进炉管；2）抽真空，通入氮气15slm，温度升至420℃；3）抽真空，通入氮气15slm，时间300秒，再抽真空，重复三次后恢复真空；4）通入氨气5slm，温度控制在450460℃，预沉积300秒；5）抽真空，通入硅烷和甲烷，持续放电5000‑11000秒；6）抽真空，通入硅烷和氨气，持续放电200秒；7）停止通气，抽真空，至压力达到30mTorr时，通入氮气15slm，再抽真空，重复两次后恢复；8）卸舟。采用本发明的方法，石墨舟镀碳化硅和
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