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还原炉的炉筒冷却方法、装置及多晶硅还原生产方法.pdf
2023-06-15
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婀娜****aj
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还原炉的炉筒冷却方法、装置及多晶硅还原生产方法.pdf
本申请提出一种还原炉的炉筒冷却方法、装置及多晶硅还原生产方法，其中，所述还原炉的炉筒冷却方法包括：使传热介质在所述还原炉的炉筒周围的导流通道内流动，吸收所述还原炉的炉筒辐射的热量，所述传热介质为气体。通过采用上述技术方案，可以使用气体作为传热介质对还原炉的炉筒进行冷却，同时对气体进行加热，被加热的气体容易被利用，从而降低还原炉的能耗，节约能源。
2023-06-15
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一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统.pdf
本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫，冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体)，在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动，有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、
2023-06-17
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多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置，该硅芯击穿方法包括以下步骤：向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换，再通入380～400℃的氢气进行置换，通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热；打入电压进行硅芯击穿。在打入电压进行击穿时，此时多晶硅还原炉内的氢气仍为380～400℃，可维持硅芯为导体，不会导致硅芯电流、电压波动，实现硅芯击穿。该硅芯击穿方法可击穿200～300Ω·cm的电阻率的硅芯，提升还原一次转化率，由于击穿硅芯的电阻率大大提高，减少了现有技术为
2023-06-17
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一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法，包括下述步骤：（1）拆开多晶硅还原炉的视镜；（2）用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（3）用涤纶无纺布蘸取质量分数为5%-10%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在内壁停滞10-15min；（4）用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（5）再次用涤纶无纺布蘸取质量分数为2%-4%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在炉筒内壁停滞10-15min；（6）用去离子水炉筒内壁进行冲洗，并用氮气吹干；（7）用无水乙醇擦拭炉筒内壁，待到乙醇挥发完全后，用干燥的
2023-06-20
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多晶硅还原炉的冷却系统和方法.pdf
本发明公开了多晶硅还原炉的冷却系统和方法，该系统包括：还原炉，包括钟罩和底盘，所述钟罩具有冷却水第一入口和钟罩高温水出口，所述底盘具有冷却水第二入口和底盘高温水出口，所述底盘高温水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连；换热装置，具有钟罩高温水入口和换热后冷却水出口，所述钟罩高温水入口与所述钟罩高温水出口相连，所述换热后冷却水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。采用该系统既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却系统的管道，又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用，同
2023-06-16
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