一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102357493A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102357493A(43)申请公布日2012.02.22(21)申请号201110213570.5(22)申请日2011.07.28(71)申请人河北东明中硅科技有限公司地址052360河北省石家庄市辛集市工业路南段东侧制革区内(72)发明人冯谨陈骏杨刊(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人李荣文(51)Int.Cl.B08B9/08(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法(57)摘要本发明公开了一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法，包括下述步骤：（1）拆开多晶硅还原炉的视镜；（2）用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（3）用涤纶无纺布蘸取质量分数为5%-10%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在内壁停滞10-15min；（4）用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（5）再次用涤纶无纺布蘸取质量分数为2%-4%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在炉筒内壁停滞10-15min；（6）用去离子水炉筒内壁进行冲洗，并用氮气吹干；（7）用无水乙醇擦拭炉筒内壁，待到乙醇挥发完全后，用干燥的涤纶无纺布再擦拭一遍。本发明的方法具有简单可行、清洗效率高等优点。CN10235749ACCNN110235749302357503A权利要求书1/1页1.一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法，其特征在于其包括下述步骤：（1）拆开多晶硅还原炉的视镜；（2）采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（3）用涤纶无纺布蘸取质量分数为5%-10%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在内壁停滞10-15min；（4）采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（5）再次用涤纶无纺布蘸取质量分数为2%-4%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在炉筒内壁停滞10-15min；（6）采用高压水枪用去离子水炉筒内壁进行冲洗，并用氮气吹干；（7）用无水乙醇擦拭炉筒内壁，待到乙醇挥发完全后，用干燥的涤纶无纺布再擦拭一遍。2CCNN110235749302357503A说明书1/2页一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法技术领域[0001]本发明涉及一种还原炉炉筒清洗方法，尤其是一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法。背景技术[0002]“硅油”是一种大分子量的硅卤化物，含硅25%呈油状的物质，这种油状物是在还原过程中低温处产生的（低于300℃），往往沉积在炉壁、底盘、观察孔石英片等冷壁处。硅油有强烈的吸水性，因而在拆炉时，硅油强烈的吸收空气中的水份同时游离出氯化氢而腐蚀设备。所以炉筒必须定时的进行清洗。一般的清洗方法用高压水枪进行冲洗，再用氮气吹干，然后打磨，最后再用无水乙醇擦拭。实践证明，由于清洗过程中要对炉壁进行打磨，导致大量的重金属析出，造成清洗后首次加工的多晶硅的纯度偏低，严重影响多晶硅的生产。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是提供具有简单可行、清洗效率高等优点的一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法。[0004]本发明的还原炉炉筒清洗方法包括下述步骤：（1）拆开多晶硅还原炉的视镜；（2）采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（3）用涤纶无纺布蘸取质量分数为5%-10%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在内壁停滞10-15min；（4）采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗；（5）再次用涤纶无纺布蘸取质量分数为2%-4%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭，让其溶液在炉筒内壁停滞10-15min；（6）采用高压水枪用去离子水炉筒内壁进行冲洗，并用氮气吹干；（7）用无水乙醇擦拭炉筒内壁，待到乙醇挥发完全后，用干燥的涤纶无纺布再擦拭一遍。[0005]第一次擦拭炉筒内壁采用高浓度氟化氢铵溶液，是为了去除沉积在炉壁上的硅油、粉尘等杂质。第二次用低浓度氟化氢铵溶液擦洗，也叫精擦洗，保证了炉筒内壁光洁度，可以使生产过程中硅芯热辐射到炉壁上后会有一部分热能反射回来，起到节能的目的。[0006]操作过程中关键是擦试氟化氢铵溶液和操作顺序及对时间的把握，时间太长会腐蚀设备，时间太短会造成清洗不净。[0007]采用上述技术方案所产生的有益效果在于：1.本发明用高浓度氟化氢铵溶液进行第一次擦洗，去除沉积在炉壁上硅油、粉尘等杂质。用低浓度氟化氢铵溶液进行的二次擦洗，保证炉筒内壁光洁度好，可以使生产过程中硅芯热辐射到炉壁上后会有一部分热能反射回来，起到节能的目的。[0008]2.本发明中用氟化氢铵溶液对炉壁进行清洗后，可以不用砂轮打磨，避免了不锈钢保护膜遭到破坏析出铁离子，保证了生产过程中多晶硅产品的纯度。3CCNN110235749302357503A说明书2/2页[0009]3.用涤纶无纺布