一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113174076A(43)申请公布日2021.07.27(21)申请号202110610628.3(22)申请日2021.06.01(71)申请人江苏旭氟新材料有限公司地址225214江苏省扬州市江都区沿江开发区（江苏鹤林智能机械有限公司A1厂房）(72)发明人牛文静(74)专利代理机构盐城市大丰区丰晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32454代理人邵珑(51)Int.Cl.C08J5/18(2006.01)C08L27/18(2006.01)C08K3/22(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法(57)摘要本发明公开了一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法，按质量百分数计由以下成分组成：陶瓷粉30‑70%，PTFE树脂干粉70‑30%；具体包括：机械混合：选择陶瓷粉及PTFE树脂干粉加入混料机中，充分混合2‑8h得到复合粉体；成型工艺：将混合后的复合粉体放入模具中，在10‑50MPa压力下预先成型为圆柱型毛坯；将脱模后的毛坯在35‑65℃的环境中存放10‑24h；烧结工艺：将圆柱型毛坯放入烧结炉中，在360‑390℃下保温2‑10天；将圆柱型毛坯放入80‑150℃的烘箱中进行预热，保持温度2‑5h，采用硬质合金刀按设定薄膜的厚度对坯料进行车削或旋切，形成10‑100μm厚度膜材料。CN113174076ACN113174076A权利要求书1/1页1.一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法，其特征在于：所述PTFE复合薄膜按质量百分数计由以下成分组成：陶瓷粉30‑70%，PTFE树脂干粉70‑30%；具体包括如下步骤：S1机械混合：按上述质量百分数计选择陶瓷粉及PTFE树脂干粉加入混料机中，充分混合2‑8h得到复合粉体；S2成型工艺：将混合后的复合粉体放入模具中，在10‑50MPa压力下预先成型为圆柱型毛坯；将脱模后的毛坯在35‑65℃的环境中存放10‑24h，消除毛坯的内应力；S3烧结工艺：将圆柱型毛坯放入烧结炉中，在360‑390℃下保温2‑10天；S4车削成膜：将S3所得圆柱型毛坯放入80‑150℃的烘箱中进行预热，保持温度2‑5h，使坯料的内、外温度一致后，采用硬质合金刀按设定薄膜的厚度对坯料进行车削或旋切，形成10‑100μm厚度膜材料。2.根据权利要求1所述的高介电常数PTFE复合薄膜制备方法，其特征在于：所述陶瓷粉为TiO2氧化物陶瓷粉。2CN113174076A说明书1/3页一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法背景技术[0001]随着信息技术的快速发展，传统材料越来越难以满足电子产品轻量化、信号传输高速化以及高频带宽等要求。PTFE树脂因其特殊的分子结构，具有优异且稳定的微波性能，–4相对介电常数为2.1左右，介电损耗为10数量级，可在180~260℃长期使用；高介电常数PTFE薄膜的特点是具有较高的介电常数，配合浸渍片使用，有利于减小电路板的尺寸；目前常规薄膜介电常数主要范围为2.1‑3.0，相对介电常数6.0‑12.0之间的PTFE复合薄膜尚未有研究报道。发明内容[0002]本发明提供了一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法。[0003]一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法，PTFE复合薄膜按质量百分数计由以下成分组成：陶瓷粉30‑70%，PTFE树脂干粉70‑30%；具体包括如下步骤：S1机械混合：按质量百分数计选择陶瓷粉及PTFE树脂干粉加入混料机中，充分混合2‑8h得到复合粉体；S2成型工艺：将混合后的复合粉体放入模具中，在10‑50MPa压力下预先成型为圆柱型毛坯；将脱模后的毛坯在35‑65℃的环境中存放10‑24h，消除毛坯的内应力；S3烧结工艺：将圆柱型毛坯放入烧结炉中，在360‑390℃下保温2‑10天；S4车削成膜：将S3所得圆柱型毛坯放入80‑150℃的烘箱中进行预热，保持温度2‑5h，使坯料的内、外温度一致后，采用硬质合金刀按设定薄膜的厚度对坯料进行车削或旋切，形成10‑100μm厚度膜材料。[0004]作为本发明的优选技术方案，进一步的，前述的高介电常数PTFE复合薄膜制备方法，陶瓷粉为TiO2氧化物陶瓷粉。[0005]与现有技术相比，本发明采用不同比例二氧化钛陶瓷粉和PTFE干粉混合，由于二氧化钛陶瓷粉相对介电常数为110，PTFE相对介电常数为2.1，通过调节二氧化钛陶瓷粉比例控制复合材料介电常数；不同比例经混合、模压、烧结和车削等工艺制备介电常数(Dk)在6.0‑12.0之间的PTFE复合薄膜，在高频10GHz以上具有优越的温度特性和较低的损耗因子。附图说明[0006]图1为本发明所设计的高介电常数PTFE复合薄膜制备方法的工艺流