一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115368605A(43)申请公布日2022.11.22(21)申请号202211161027.XC08K3/22(2006.01)(22)申请日2022.09.22C08K3/04(2006.01)C08K7/06(2006.01)(71)申请人江苏旭氟新材料有限公司C08K3/32(2006.01)地址225214江苏省扬州市江都区沿江开C08K3/16(2006.01)发区（江苏鹤林智能机械有限公司A1厂房）(72)发明人牛文静(74)专利代理机构盐城市大丰区丰晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32454专利代理师邵珑(51)Int.Cl.C08J5/18(2006.01)C08L27/18(2006.01)C08K3/36(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法，为：S1：将PTFE粉末、功能材料及填料分别进行烘干，烘干后PTFE粉末捣碎60目过筛，将烘干后的功能材料和填料捣碎分别用140目振动筛过筛，备用；S2：取稀土粉末将其溶于乙醇溶剂，将得到的PTFE粉末加入到稀土溶液中，再加入功能材料和填料，加热搅拌，在溶液蒸干后，烘干，然后取出备用；S3：将混合后的复合粉体放入模具中，预先成型为圆柱型毛坯；S4：将圆柱型毛坯放入烧结炉中烧结；S5：将S4所得圆柱型毛坯放入烘箱中进行预热，使坯料的内、外温度一致后，按照预设的薄膜厚度，进行车削或旋切；该复合膜具有高介电常数、低介电损耗，耐磨性能好，不易磨损，延长其使用寿命，降低成本。CN115368605ACN115368605A权利要求书1/1页1.一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1：将PTFE粉末、功能材料及填料分别用电热恒温干燥箱进行烘干，烘干温度在95‑100℃，持续烘干10‑11h，取出烘干后PTFE粉末捣碎60目过筛，将烘干后的功能材料和填料捣碎分别用140目振动筛过筛，备用；所述功能材料为纳米硅微粉、纳米Al2O3或钛白粉；所述填料为石墨、碳纤维及二硫化钼的混合物；S2：取稀土粉末将其溶于乙醇溶剂中，将经步骤S1得到的PTFE粉末缓慢加入到稀土溶液中，再加入功能材料和填料，然后用搅拌器进行加热搅拌，在溶液完全蒸干后，送入烘干箱在100‑110℃下进行2‑3h的烘干，然后取出备用；S3：将混合后的复合粉体放入模具中，在10‑20MPa压力下预先成型为圆柱型毛坯；将脱模后的毛坯在40‑75℃的环境中存放10‑24h，消除毛坯的内应力；S4：将圆柱型毛坯放入烧结炉中，先在200‑250℃下预烧，然后加热到350‑460℃下保温5‑36h；S5：将S4所得圆柱型毛坯放入80‑130℃的烘箱中进行预热，保持温度2‑5h，使坯料的内、外温度一致后，按照预设的薄膜厚度，采用硬质合金刀对坯料进行车削或旋切，形成10‑100μm厚度膜材料。2.根据权利要求1所述的高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中将经步骤S1得到的PTFE粉末缓慢加入到稀土溶液中时边用搅拌边加入。3.根据权利要求1所述的高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述稀土为氟化镧。4.根据权利要求1所述的高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中模压成型时保压8‑10min。5.根据权利要求1所述的高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法，其特征在于：所按质量百分比计，功能材料：10‑20%，填料：2‑4%，稀土1‑2%，余量为PTFE粉末，以上各组分之和为100%。6.根据权利要求1所述的高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述填料按质量比计石墨：碳纤维：二硫化钼=3：12:4。2CN115368605A说明书1/5页一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种复合薄膜的制备方法，具体涉及一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法。背景技术[0002]电子信息产品和设备的发展趋势是高频化、微型化，微型化电路系统的开发应用是专为紧凑型设备提供设计，电路的微型化也使得系统重量的减轻。对于X波段及以下频率是十分理想的。其适用于GPS接收器、有更小尺寸要求的贴片天线、卫星通讯系统、功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、低噪声下变频器(LNB)、飞机防撞系统(TCAS)和陆机雷达系统。尤其在5G无线网络、雷达、北斗卫星通讯的快速发展中，都需要大量的高介电常数复合材料。PTFE树脂因其特殊的分子结构，具有优异且稳定的微波性能，相对介电常数为2.1左右，介电损耗为