一种高介电常数薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107794516A(43)申请公布日2018.03.13(21)申请号201711024660.3(22)申请日2017.10.27(71)申请人周燕红地址214000江苏省无锡市锡山区东北塘镇锦阳村张巷25号(72)发明人周燕红(74)专利代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司11659代理人徐鹏飞(51)Int.Cl.C23C18/12(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种高介电常数薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高介电常数薄膜的制备方法，方法包括以下步骤：(1)将前驱体原料、催化剂、无水醇类溶剂以及去离子水混合，制备溶胶先驱；(2)将步骤(1)得到的溶胶先驱置于基板上形成液膜，再将覆有液膜的基板放置于加热板上进行固化，得到固体膜；(3)将步骤(2)得到的固体膜置于马弗炉中进行烧结，得到高介电常数薄膜。本发明实现了多组分材料的高介电常数薄膜制备，且成本低、工艺简单。CN107794516ACN107794516A权利要求书1/1页1.一种高介电常数薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将前驱体原料、催化剂、无水醇类溶剂以及去离子水混合，制备溶胶先驱；(2)将步骤(1)得到的溶胶先驱置于基板上形成液膜，再将所述覆有液膜的基板放置于加热板上进行固化，得到固体膜；(3)将步骤(2)得到的固体膜置于马弗炉中进行烧结，得到高介电常数薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的前驱体原料选自钛酸四丁酯、三水硝酸铜和一水醋酸钙；步骤(1)所述的催化剂选自浓盐酸、浓硫酸或冰醋酸中任意一种；步骤(1)所述的无水醇类溶剂选自乙醇、乙二醇或甲醇中任意一种或至少两种的组合。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的混合方法为先将前驱体原料溶解于无水醇类溶剂中，再向其中加入催化剂溶解，最后向其中加入去离子水溶解；所述溶解的方法为震荡溶解、搅拌溶解、超声溶解或加热溶解中的任意一种或至少两种的组合；所述溶解的时间为2h～3h。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述基板选自硅片、玻璃、金片或银片中任意一种。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述形成液膜的方法选自旋涂法、喷涂法或提拉法中任意一种。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述加热板的温度为250℃～350℃；所述电热板的加热时间为3min～7min。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述加热板的温度为300℃；步骤(2)所述电热板的加热时间为5min。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述烧结温度为850℃～950℃；步骤(3)所述烧结时间为1h～3h。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述烧结温度为900℃；步骤(3)所述烧结时间为2h。10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述烧结温度的升温速度为5℃/min。2CN107794516A说明书1/3页一种高介电常数薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明实施例涉及薄膜制备技术，尤其涉及一种高介电常数薄膜的制备方法。背景技术[0002]高介电常数材料是储能器件中的重要组成部分，而随着电子器件的微型化，集成化，高介电常数材料的薄膜化越来越重要。[0003]目前，传统的薄膜制备方法主要有磁控溅射法，气相沉积法和激光脉冲法等。传统的薄膜制备方法均需要价格昂贵的设备和原料，且工艺复杂。此外，对于多组分的材料，传统的薄膜制备方法很难得到准确的原子质量比，将会造成薄膜的质量下降。发明内容[0004]本发明提供一种高介电常数薄膜的制备方法，以实现多组分材料的高介电常数薄膜的制备，且成本低、工艺简单。[0005]本发明提供了一种高介电常数薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：[0006](1)将前驱体原料、催化剂、无水醇类溶剂以及去离子水混合，制备溶胶先驱；[0007](2)将步骤(1)得到的溶胶先驱置于基板上形成液膜，再将所述覆有液膜的基板放置于加热板上进行固化，得到固体膜；[0008](3)将步骤(2)得到的固体膜置于马弗炉中进行烧结，得到高介电常数常数薄膜。[0009]进一步地，步骤(1)所述的前驱体原料选自钛酸四丁酯、三水硝酸铜和一水醋酸钙；[0010]步骤(1)所述的催化剂选自浓盐酸、浓硫酸或冰醋酸中任意一种；[0011]步骤(1)所述的无水醇类溶剂选自乙醇、乙二醇或甲醇中任意一种或至少两种的组合。[0012]进一步地，步骤(1)所述的混合方法为先将前驱体原料溶解于无水醇类溶剂中，再向其中加入催化剂溶解，最后向其中加入去离