一种翻板阀、拉晶炉及加料方法和拉晶方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113249779A(43)申请公布日2021.08.13(21)申请号202110433878.4(22)申请日2021.04.20(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路1000号(72)发明人赵旭良(74)专利代理机构北京磐华捷成知识产权代理有限公司11851代理人谢栒(51)Int.Cl.C30B15/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种翻板阀、拉晶炉及加料方法和拉晶方法(57)摘要本发明提供一种翻板阀、拉晶炉及加料方法和拉晶方法，翻板阀包括翻板、翻转轴和气盘，其中气盘位于翻板靠近拉晶炉坩埚的一面，气盘包括盘体、位于盘体上的气孔、气体管道以及支撑管道，支撑管道连接盘体和气体管道，盘体的面积小于翻板，气盘的盘体与翻板独立设置，用于通过盘体上的气孔从上向下通入气体，从而抑制氧化物上扬污染翻板。本发明通过增加气盘或气孔，产生由上而下的气体，用于保证化料过程中有正上方的气体抑制氧化物上扬，减少拉晶时因为氧化物的原因引起的品质缺陷，提高晶体质量。CN113249779ACN113249779A权利要求书1/1页1.一种翻板阀，包括翻板、翻转轴，其特征在于，还包括气盘，其中所述气盘位于所述翻板靠近拉晶炉坩埚的一面，所述气盘包括盘体、位于盘体上的气孔、气体管道以及支撑管道，所述支撑管道连接所述盘体和所述气体管道，所述盘体的面积小于所述翻板，所述气盘的盘体与所述翻板独立设置，用于通过盘体上的气孔从上向下通入气体，从而抑制氧化物上扬污染所述翻板。2.根据权利要求1所述的翻板阀，其特征在于，所述气体管道位于所述翻转轴内。3.一种翻板阀，包括翻板、翻转轴，其特征在于，还包括气盘，其中所述气盘位于所述翻板靠近拉晶炉坩埚的一面，所述气盘包括盘体、位于盘体上的气孔、气体管道以及支撑管道，所述支撑管道连接所述盘体和所述气体管道，所述气体管道位于所述翻转轴内，所述盘体的面积小于所述翻板，所述气盘的盘体与所述翻板固定在一起，随翻板的移动而移动，用于通过盘体上的气孔从上向下通入气体，从而抑制氧化物上扬污染所述翻板。4.一种翻板阀，包括翻板、翻转轴，其特征在于，所述翻板靠近拉晶炉坩埚的一面具有气孔，所述翻转轴为中空，其内部与所述翻板连通并通有气体，用于通过所述翻板上的气孔从上向下通入气体，从而抑制氧化物上扬污染所述翻板。5.根据权利要求1‑3任一项所述的翻板阀，其特征在于，所述盘体为圆形。6.根据权利要求1‑4任一项所述的翻板阀，其特征在于，所述气孔均匀排布。7.一种拉晶炉，其特征在于，其具有根据权利要求1‑6任一项所述的翻板阀。8.一种加料方法，其包括装料、一次化料和二次化料，其特征在于，该加料方法采用根据权利要求7所述的拉晶炉。9.一种加料方法，其包括装料、一次化料和二次化料，其特征在于，该加料方法采用具有根据权利要求1‑2任一项所述的翻板阀的拉晶炉，并且在进行二次加料时，先将气盘进行翻转，同时进行通气，然后再合上翻板阀的翻板。10.一种拉晶方法，其特征在于，该方法包括化料、二次加料、稳温、浸入、引晶、放肩、等晶和收尾，其中在二次加料过程中采用根据权利要求9所述的加料方法。2CN113249779A说明书1/4页一种翻板阀、拉晶炉及加料方法和拉晶方法技术领域[0001]本发明涉及半导体生长领域，具体地，涉及一种翻板阀、拉晶炉及加料方法和拉晶方法。背景技术[0002]直拉法(Cz)是制备半导体及太阳能用硅单晶的一种重要方法，通过碳素材料组成的热场对放入坩埚的高纯硅料进行加热使之熔化，通常经过化料、二次加料、稳温、浸入，之后通过将籽晶浸入熔体当中并经过一系列引晶、放肩、等径、收尾、冷却工艺过程，最终获得单晶棒。[0003]整个拉晶为了得到好的成本控制，都会选择在第一次化料后进行二次加料或者叫复投。原因是第一次装的料，在进行化料后，从固体转化到液体时，液面会下降，所以会留出二次加料的空间。二次加料时常规的在拉晶炉炉盖和副室中间有一个部件叫做翻板阀。翻板阀的功能是将炉盖及副室进行隔绝，让副室可以进行二次加料器的装载，从而进行二次加料。[0004]进行二次加料时，需要合上翻板阀，炉体进行上下两个部分的隔断。这时翻板阀上部的氩气会自动关闭，翻板阀下方侧部的氩气会打开，让正在化料产生的氧化物下压。这个最大的弊端在于翻板阀合上后失去了化料正上方的氩气抑制氧化物上扬的功能，所以大部分的翻板阀在二次加料后表面会很脏，沾有大量的氧化物，如果氧化物一旦脱落掉入溶液内，将严重影响晶体品质，严重时会导致单晶无法生长。[0005]因此，有必要提出一种翻板阀、拉晶