一种加料装置、拉晶炉及加料方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111455452A(43)申请公布日2020.07.28(21)申请号202010280241.1(22)申请日2020.04.10(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人潘浩(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230代理人刘长春(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图5页(54)发明名称一种加料装置、拉晶炉及加料方法(57)摘要本发明公开了一种加料装置、拉晶炉及加料方法，所述加料装置包括：上下贯通的第一加料管；牵引件，穿过所述第一加料管；送料件，设置于所述第一加料管内，且所述送料件环绕所述牵引件呈螺旋方式设置；可收缩和展开的散料组件，沿所述牵引件轴向转动连接至所述牵引件上，且位于所述送料件的下方。本发明所提供的加料装置的送料件与熔液表面的距离可控，可以预防熔液的飞溅，从而避免热场和导流筒的损坏，另外还可以利用旋转所产生的离心力将多晶硅原料散布于石英坩埚的边缘，加速多晶硅原料的熔化，缩短工艺时间。CN111455452ACN111455452A权利要求书1/1页1.一种加料装置，其特征在于，包括：上下贯通的第一加料管；牵引件，穿过所述第一加料管；送料件，设置于所述第一加料管内，且所述送料件环绕所述牵引件呈螺旋方式设置；可收缩和展开的散料组件，沿所述牵引件轴向转动连接至所述牵引件上，且位于所述送料件的下方。2.根据权利要求1所述的加料装置，其特征在于，还包括保护套管，套设于所述牵引件上，所述保护套管上设置有进气口，且从所述保护套管的第一端至第二端还设置有若干排气孔。3.根据权利要求2所述的加料装置，其特征在于，所述送料件活动设置于所述第一加料管内，且所述送料件环绕所述保护套管呈螺旋方式固定设置于所述保护套管上。4.根据权利要求1或2所述的加料装置，其特征在于，所述送料件固定设置于所述第一加料管的内壁上。5.根据权利要求1所述的加料装置，其特征在于，还包括倒锥形的物料环，所述物料环的第一端固定设置于所述第一加料管的内壁上且位于所述送料件的上方。6.根据权利要求1所述的加料装置，其特征在于，所述散料组件包括可收缩和展开的散料件、可收缩和展开的二次散料件，其中，所述散料件位于所述二次散料件的上方，所述散料件的第一端环绕所述牵引件且沿所述牵引件轴向转动连接至所述牵引件上，所述散料件的第二端转动连接至所述二次散料件上，所述二次散料件的第一端环绕所述牵引件且沿所述牵引件轴向转动连接至所述牵引件上。7.根据权利要求6所述的加料装置，其特征在于，所述散料件包括若干第一散料板，所述二次散料件包括若干二次散料板，其中，所述若干第一散料板的第一端环绕所述牵引件且呈间隔方式沿所述牵引件轴向转动连接至所述牵引件上，所述若干二次散料板的第一端环绕所述牵引件且呈间隔方式沿所述牵引件轴向转动连接至所述牵引件上，每个所述第一散料板的第二端均通过转轴对应连接至一所述二次散料板上。8.根据权利要求6所述的加料装置，其特征在于，所述散料组件还包括伸缩件，所述伸缩件的两端分别连接至所述二次散料件的底端。9.一种拉晶炉，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的加料装置。10.一种加料方法，其特征在于，利用权利要求1至8任一项所述的加料装置进行加料，所述加料方法包括：将加料装置安置于距离熔液液面第一距离的拉晶炉的副炉室中；按照第一预设方式或者第二预设方式将待输送材料输送至坩埚中，其中，所述第一预设方式为先将所述牵引件和所述散料组件向下移动至距离所述熔液液面第二距离的位置，再旋转所述牵引件和所述散料组件，所述第二预设方式为向下移动所述牵引件和所述散料组件的同时旋转所述牵引件和所述散料组件。2CN111455452A说明书1/10页一种加料装置、拉晶炉及加料方法技术领域[0001]本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种加料装置、拉晶炉及加料方法。背景技术[0002]单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性的材料，属半导体材料类。单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等。目前半导体行业倾向于使用大尺寸的单晶硅晶圆，因此市场上对大尺寸单晶硅棒的需求越来越多，同时对拉晶炉、热场和石英坩埚的需求也趋向于更大尺寸，但是，由于多晶硅原料在固体时的密度小，且孔隙度大，导致在制备大尺寸单晶硅棒的投料过程中会产生二次投料的需求。[0003]请参见图1，图1是现有技术提供的一种拉晶炉的结构示意图。图1中包括了目前使用的一种二次加料装置10，这种二次加料装置10的底部为第二散料板102，在完成第二加料管10