直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法.pdf

本发明涉及一种硅单晶生产中的测量方法，旨在提供一种基于CCD测量的直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法。该方法包括：使用CCD摄像头获取单晶棒与硅熔体液面相交形成的光圈图像信号，并将信号经过模拟数字转换后传送至计算机系统；提取光圈图像中的图像边缘，得到光圈的椭圆形的像素坐标图；将像素坐标图椭圆形的边缘拟合成正圆；获取该正圆中心点的像素坐标位置；获取硅熔体液面高度数值和单晶棒直径的数值。通过本发明可以实时监控熔体液面的相对位置的变化，这一位置变化会对应CCD检测影像的像素变化，通过图像处理软件

2023-06-20

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一种用于测量直拉硅单晶炉中硅熔体液面位置的装置.pdf

本发明提供一种用于测量直拉硅单晶炉中硅熔体液面位置的装置，该装置安装在直拉硅单晶炉的热屏蔽组件上，包括测量杆、中间有孔的圆垫块，测量杆的端部穿过圆垫块上的孔垂直朝向硅熔体的液面。在采用安装有本发明装置的直拉法制造的砖单晶炉系统制造砖单晶棒时，将测量杆测定的热屏蔽组件的下端面与砖熔体液面的距离(H值)输入控制系统中，从而实现单晶体在等径生长期间的H值的精确控制。本发明可以用于制造集成电路和其它电子元件半导体级砖单晶体。采用本发明可制备具有一个中心轴、一个籽晶端锥体和一个尾端锥体的硅晶棒，在籽晶端锥体和尾端锥

2023-06-19

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一种直拉硅单晶炉的硅熔体液面相对位置的测量方法.pdf

本发明公开了一种直拉硅单晶炉的硅熔体液面相对位置的测量方法。CCD摄像头获取硅熔体液面反射的激光得到激光图像，通过边沿像素坐标正圆拟合得到激光图像的圆心，比较任一液面位置激光图像正圆拟合图的圆心与初始液面位置拟合图的圆心的y坐标差值就可以得到该液面位置的相对高度。本发明提供了一种精确的实时测量和控制硅单晶生长过程中石英坩埚内硅熔体液面位置相对变化的简单有效的方法。

2023-06-20

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一种直拉硅单晶炉晶棒直径检测方法及其装置.pdf

本发明涉及一种直拉硅单晶炉晶棒直径检测方法及其装置，其中装置包括双目图像采集模块(11)、识别模块(12)和检测模块(13)；方法包括采集左右图像；分别识别左右图像内同一边界点对应的左右像点，按三角法计算空间位置坐标，再经矩阵转换改为液面为Z=0的世界坐标后将对应x，y坐标代入方程

2023-06-15

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单晶炉重锤、单晶炉、硅单晶的直拉方法及硅单晶.pdf

本发明公开了一种单晶炉重锤、单晶炉、硅单晶的直拉方法及硅单晶。该单晶炉重锤包括重锤本体，设有籽晶连接端；遮挡片，靠近重锤本体的籽晶连接端固定设置在重锤本体上。该单晶炉重锤通过在重锤本体上设置遮挡片，能够有效减缓硅熔体表面的散热速度。散热速度的减缓能够降低硅熔体表面的径向温度梯度，进而降低硅熔体表面的热对流速度。热对流速度的降低能够减缓硅熔体对石英坩埚中氧原子的输送速度，这就使得硅单晶头部的氧含量有所下降，进而减少了硅单晶头部因氧原子而导致的各种缺陷，保证了硅单晶头部光电转换效率。

2023-06-19

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