直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法.pdf

本发明涉及一种硅单晶生产中的测量方法，旨在提供一种基于CCD测量的直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法。该方法包括：使用CCD摄像头获取单晶棒与硅熔体液面相交形成的光圈图像信号，并将信号经过模拟数字转换后传送至计算机系统；提取光圈图像中的图像边缘，得到光圈的椭圆形的像素坐标图；将像素坐标图椭圆形的边缘拟合成正圆；获取该正圆中心点的像素坐标位置；获取硅熔体液面高度数值和单晶棒直径的数值。通过本发明可以实时监控熔体液面的相对位置的变化，这一位置变化会对应CCD检测影像的像素变化，通过图像处理软件

2023-06-20

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一种用于测量直拉硅单晶炉中硅熔体液面位置的装置.pdf

本发明提供一种用于测量直拉硅单晶炉中硅熔体液面位置的装置，该装置安装在直拉硅单晶炉的热屏蔽组件上，包括测量杆、中间有孔的圆垫块，测量杆的端部穿过圆垫块上的孔垂直朝向硅熔体的液面。在采用安装有本发明装置的直拉法制造的砖单晶炉系统制造砖单晶棒时，将测量杆测定的热屏蔽组件的下端面与砖熔体液面的距离(H值)输入控制系统中，从而实现单晶体在等径生长期间的H值的精确控制。本发明可以用于制造集成电路和其它电子元件半导体级砖单晶体。采用本发明可制备具有一个中心轴、一个籽晶端锥体和一个尾端锥体的硅晶棒，在籽晶端锥体和尾端锥

2023-06-19

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一种直拉硅单晶炉的硅熔体液面相对位置的测量方法.pdf

本发明公开了一种直拉硅单晶炉的硅熔体液面相对位置的测量方法。CCD摄像头获取硅熔体液面反射的激光得到激光图像，通过边沿像素坐标正圆拟合得到激光图像的圆心，比较任一液面位置激光图像正圆拟合图的圆心与初始液面位置拟合图的圆心的y坐标差值就可以得到该液面位置的相对高度。本发明提供了一种精确的实时测量和控制硅单晶生长过程中石英坩埚内硅熔体液面位置相对变化的简单有效的方法。

2023-06-20

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硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法.pdf

本发明公开了一种硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法。由提拉头、副炉室、隔离阀、炉体、上部保温罩、加热器、坩埚升降旋转机构、石墨坩埚、坩埚、钢丝绳、夹头等组成单晶提拉部分，由小炉筒、加料仓，隔离阀、加料和称重装置、连续熔化管，隔热体、加热器、熔体温度稳定管等构成熔体连续加注部分，实现多晶硅的连续熔化和硅单晶的连续生长。本发明能将相邻两次打开单晶炉的间隔时间延长到30天以上，能有效降低坩埚的尺寸、降低直拉硅单晶生长方法的能耗，提高了生产效率，也能有效降低直拉硅单晶生长方法的氧含量。

2023-06-20

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一种直拉硅单晶炉晶棒直径检测方法及其装置.pdf

本发明涉及一种直拉硅单晶炉晶棒直径检测方法及其装置，其中装置包括双目图像采集模块(11)、识别模块(12)和检测模块(13)；方法包括采集左右图像；分别识别左右图像内同一边界点对应的左右像点，按三角法计算空间位置坐标，再经矩阵转换改为液面为Z=0的世界坐标后将对应x，y坐标代入方程

2023-06-15

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