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高纯锗单晶的制备与位错密度分析.pptx
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2024-10-05
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锗单晶的位错研究位错是固态物理学中的一个重要研究领域，它指的是在晶体中的原子排列顺序发生错误所形成的缺陷。锗单晶是一种具有广泛应用的半导体材料，位错对其性能及制备过程有着重要的影响。因此，研究锗单晶的位错对于优化其性能及提高制备效率具有重要意义。一、锗单晶晶体结构锗单晶晶体属于菱面晶系，晶胞结构是六面体。它的晶格常数为5.657Å，每个晶胞中有8个原子。二、位错的分类位错通常被分为两类：线状位错和面状位错。线状位错是指晶体中出现了错配的点阵，其位置被称为位错线。面状位错是指晶体中出现了平面上的错配，形成了
2024-11-17
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2023-06-15
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