湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103113126A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103113126103113126A(43)申请公布日2013.05.22(21)申请号201110364467.0(22)申请日2011.11.17(71)申请人上海申和热磁电子有限公司地址200444上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号(72)发明人井敏贺贤汉(74)专利代理机构上海东方易知识产权事务所31121代理人沈原(51)Int.Cl.C04B37/02(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书2页说明书2页附图1页附图1页(54)发明名称湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法(57)摘要本发明湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，包括如下步骤：第一步，对铜片进行预先表面处理；第二步，将经过表面处理的铜片放入处理溶液中氧化；第三步，将经过氧化的铜片进行清洗并烘干；第四步，将烘干的铜片放入模具中预弯；第五步，将预弯完毕的铜片放置在陶瓷片上烧结。本发明湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法与高温退火、氧化相比，湿法氧化有利于缩短工序时间、节约能源、降低成本，不需要添加退火炉等设备。与高温退火、氧化相比，湿法氧化生产出来的DBC产品铜面晶粒细小，有利于提高铜片的力学性能，消除传送带痕迹。CN103113126ACN10326ACN103113126A权利要求书1/1页1.湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，对铜片进行预先表面处理；第二步，将经过表面处理的铜片放入处理溶液中氧化；第三步，将经过氧化的铜片进行清洗并烘干；第四步，将烘干的铜片放入模具中预弯；第五步，将预弯完毕的铜片放置在陶瓷片上烧结。2.根据权利要求1所述的湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，其特征在于，所述处理溶液为NaOH和K2S2O8的混合溶液。3.根据权利要求2所述的湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，其特征在于，所述处理溶液的比例是K2S2O8为27g/L～31g/L、NaOH为3g/L～5g/L或K2S2O8为83g/L～90g/L、NaOH为22g/L～31g/L。4.根据权利要求3所述的湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，其特征在于，所述处理溶液的温度为35℃～45℃或30℃～45℃。5.根据权利要求1所述的湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，其特征在于，所述第二步中的氧化时间为2min～10min或2min～5min。6.根据权利要求1所述的湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，其特征在于，所述第三步中烘干包括热风烘干或烘箱烘干。7.根据权利要求1所述的湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，其特征在于，所述模具的形状为圆形。2CN103113126A说明书1/2页湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法技术领域[0001]本发明属于半导体制造领域，适合直接覆铜陶瓷基板的制造，特别是一种湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法。背景技术[0002]目前现有行业普遍采用的以铜片高温退火氧化一体完成后与氧化铝陶瓷接触烧结。但是这种高温退火、氧化一体的方式存在以下不足：[0003](1)氧化不均匀：会直接给后续烧结带来烧结缺陷，剥离强度变化较大。[0004](2)传送带痕迹：由于高温、氧化过程由传送带输送，传送带网孔的存在，会影响整个铜片的温度分布不均匀，留下传送带痕迹。烧结后的结果是在Cu/Al2O3结合面留下对应的痕迹。[0005](3)高温退火、氧化会伴随着铜的晶粒长大，在后续的烧结过程中，晶粒会继续长大，对铜的力学性能和表面处理带来不利影响。发明内容[0006]本发明的目的在于提供一种在于减少铜片氧化不均匀、有传送带痕迹、铜片晶粒粗大的湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法。[0007]本发明湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法，包括如下步骤：[0008]第一步，对铜片进行预先表面处理；[0009]第二步，将经过表面处理的铜片放入处理溶液中氧化；[0010]第三步，将经过氧化的铜片进行清洗并烘干；[0011]第四步，将烘干的铜片放入模具中预弯；[0012]第五步，将预弯完毕的铜片放置在陶瓷片上烧结。[0013]所述处理溶液为NaOH和K2S2O8的混合溶液。所述处理溶液的比例是K2S2O8为27g/L～31g/L、NaOH为3g/L～5g/L或K2S2O8为83g/L～90g/L、NaOH为22g/L～31g/L。所述处理溶液的温度为35℃～45℃或30℃～45℃。所述第二步中的氧化时间为2min～10min或2min～5min。所述第三步中烘干包括热风烘干或烘箱烘干。所述模具的形状为圆形。[0014]本发明湿法氧化铜片烧结直接敷铜的方法与高温退火、氧化相比，湿法氧化有利于缩短工序时间、节约能源、降低成本，不需要添加退火炉等设备。与高温退火、氧化相比，