晶圆加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113782420A(43)申请公布日2021.12.10(21)申请号202110905617.8(22)申请日2021.08.05(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人王瑞瀚张宾杨德明(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人罗雅文(51)Int.Cl.H01L21/033(2006.01)H01L21/677(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称晶圆加工方法(57)摘要本申请公开了一种晶圆加工方法，涉及半导体制造领域。该晶圆加工方法包括将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；将晶圆传输至立式炉管机台；通过立式炉管机台在晶圆上形成氮化硅薄膜；将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至装载区；解决了目前氮化硅薄膜亲水性差，容易导致BARC涂布不均匀的问题；达到了在不增加工艺成本的情况下，提高氮化硅薄膜表面的亲水性，避免光刻时在衬底上形成气泡而导致的硅损失的效果。CN113782420ACN113782420A权利要求书1/1页1.一种晶圆加工方法，其特征在于，所述方法包括：将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；将晶圆传输至所述立式炉管机台；通过所述立式炉管机台在所述晶圆上形成氮化硅薄膜；将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区，包括：控制所述形成有氮化硅薄膜的晶圆，按预定速度从所述立式炉管机台的反应腔室移动至所述装载区。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定速度小于200mm/min。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧气环境，包括：向所述立式炉管机台的装载区内通入氧气或含氧气体。5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述装载区环境的氧气浓度为100000‑250000ppm。6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述晶圆放置在晶舟上。2CN113782420A说明书1/4页晶圆加工方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆加工方法。背景技术[0002]立式炉管机台是半导体制造生产线中的重要工艺设备之一，可以用于大规模集成电路、分立器件、电力电子器件、光电器件和光导纤维等的扩散、氧化、退火、化学气相沉积、合金等工序。通过晶舟将每批(lot)送入立式炉管机台的反应腔室内进行相应的工艺。[0003]在一些芯片的制作工艺中，通过立式炉管机台沉积氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜形成后进行光刻。在光刻过程，需要在氮化硅薄膜表面涂布底部抗反射涂层(BottomAnti‑ReflectionCoating，BARC)。然而，BARC对于膜层表面亲水性比较敏感，氮化硅薄膜的疏水性较强、亲水性较差，在涂布BARC时容易出现涂覆不均匀的问题。发明内容[0004]为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种晶圆加工方法。该技术方案如下：[0005]一方面，本申请实施例提供了一种晶圆加工方法，该方法包括：[0006]将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；[0007]将晶圆传输至所述立式炉管机台；[0008]通过所述立式炉管机台在所述晶圆上形成氮化硅薄膜；[0009]将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区。[0010]可选的，所述将所述形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区，包括：[0011]控制所述形成有氮化硅薄膜的晶圆，按预定速度从所述立式炉管机台的反应腔室移动至所述装载区。[0012]可选的，所述预定速度小于200mm/min。[0013]可选的，所述将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧气环境，包括：[0014]向所述立式炉管机台的装载区内通入氧气或含氧气体。[0015]可选的，所述装载区环境的氧气浓度为100000‑250000ppm。[0016]可选的，所述晶圆放置在晶舟上。[0017]本申请技术方案，至少包括如下优点：[0018]通过将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；将晶圆传输至立式炉管机台；通过立式炉管机台在晶圆上形成氮化硅薄膜；将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至装载区；解决了目前氮化硅薄膜亲水性差，容易导致BARC涂布不均匀的问题；达到了在不增加工艺成本的情况下，提高氮化硅薄膜表面的亲水性，避免光刻时在衬底上形成气泡而导致的硅损失的效果。附图说明[0019]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体3CN113782420A说明书2/4页实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些