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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114075691A(43)申请公布日2022.02.22(21)申请号202010797866.5(22)申请日2020.08.10(71)申请人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司地址215000江苏省苏州市高新区鹿山路199号申请人包头阿特斯阳光能源科技有限公司(72)发明人王全志(74)专利代理机构北京景闻知识产权代理有限公司11742代理人么立双(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称籽晶生长的工艺方法(57)摘要本发明公开了一种籽晶生长的工艺方法,籽晶生长的工艺方法包括:将硅料放置于炉体内加热;对炉体加热至第一预定阶段,炉体内压力设定为90‑100mbar,炉体内进气量和出气量均小于10nl/min;对炉体加热至第二预定阶段,炉体内压力设定为250‑350mbar,炉体内进气量和出气量均小于10nl/min。根据本发明的籽晶生长的工艺方法,通过控制炉体内压力,且使进气量和出气量均小于10nl/min,由此可以降低气流流动速度,可以防止气流流向炉体的底部,从而可以避免气流激发炉体内底部的杂质,进而可以避免杂质与硅料融合,提升籽晶纯度。CN114075691ACN114075691A权利要求书1/1页1.一种籽晶生长的工艺方法,其特征在于,所述工艺方法包括:将硅料放置于炉体内加热;对所述炉体加热至第一预定阶段,所述炉体内压力设定为90-100mbar,所述炉体内进气量和出气量均小于10nl/min;对所述炉体加热至第二预定阶段,所述炉体内压力设定为250-350mbar,所述炉体内进气量和出气量均小于10nl/min。2.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,对所述炉体加热至第二预定阶段后,对所述炉体加热至第三预定阶段,从所述第二预定阶段到所述第三预定阶段之间,所述炉体内压力设定为250-350mbar,所述炉体内进气量小于10nl/min,所述炉体内出气量为5-15nl/min。3.根据权利要求2所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,对所述炉体加热至第三预定阶段后,对所述炉体加热至第四预定阶段,从所述第三预定阶段到所述第四预定阶段之间,所述炉体内压力设定为550-650mbar,所述炉体内进气量为55-65nl/min,所述炉体内出气量小于10nl/min。4.根据权利要求3所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,进入所述第四预定阶段之前,所述炉体内出现熔体。5.根据权利要求3所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,所述第四预定阶段结束之前所述炉体内硅料熔化结束。6.根据权利要求3所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,进入所述第四预定阶段之前,所述炉体内的调压模式为进气模式;进入所述第四预定阶段之后,所述炉体内的调压模式为出气模式。7.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,对所述炉体加热至第一预定阶段时,所述炉体内部温度为950-1050℃。8.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,所述炉体处于所述第二预定阶段时,所述炉体内部温度大于1000℃。9.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,在所述炉体进入所述第二阶段之前,所述炉体内的压力模式为真空模式。10.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法,其特征在于,在所述炉体进入所述第二阶段之后,所述炉体内的压力模式为压力模式。2CN114075691A说明书1/3页籽晶生长的工艺方法技术领域[0001]本发明涉及类单晶工艺技术领域,尤其是涉及一种籽晶生长的工艺方法。背景技术[0002]类单晶的生长要求在一个完全对称的热场结构中,对称的热场结构有一个明显的特点就是熔体流动性会弱一些,在铸造过程中,当气体流到坩埚底部,坩埚底部的涂层内部含有较多的杂质,同时气体本身也会携带杂质,气体激起涂层杂质的“浮尘”,随着气体向上流动,在高温下与硅蒸气反应,形成氮化硅,碳化硅,氧化硅及其他复合氧化物等,沉积在籽晶缝隙中或者硅料上,就会显现出不同的彩色薄膜。[0003]沉积在籽晶间的缝隙的杂质,随着气体向上流动进入上面的硅料中,但是类单晶的对称性热场结构,熔体流动性较弱,杂质很难通过分凝排到硅锭头部,而留在了硅锭中,从而检测到黑色的杂质点。发明内容[0004]本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出了一种籽晶生长的工艺方法,所述籽晶生长的工艺方法具有简单、籽晶杂质少的优点。[0005]根据本发明实施例的籽晶生长的工艺方法,所述工艺方法包括:[0006]将硅料放置于炉体内加热;[0007]对所述炉体加热至第一预定阶