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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114318500A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202210007056.4(22)申请日2022.01.05(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710100陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人宋振亮宋少杰(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253代理人李斌栋沈寒酉(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒(57)摘要本发明实施例公开了一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒;所述拉晶炉包括:设置在水冷套上方位置且呈圆筒状的加热装置,所述加热装置被配置成使得单晶硅棒沿着竖直方向向上移动时能够进入至所述加热装置限定出的热处理室中进行热处理;设置在所述加热装置上方且呈圆筒状的冷却装置,所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒沿着竖直方向继续向上移动时能够进入至所述冷却装置限定出的冷却室中进行冷却处理。CN114318500ACN114318500A权利要求书1/1页1.一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉,其特征在于,所述拉晶炉包括:设置在水冷套上方位置且呈圆筒状的加热装置,所述加热装置被配置成使得单晶硅棒沿着竖直方向向上移动时能够进入至所述加热装置限定出的热处理室中进行热处理;设置在所述加热装置上方且呈圆筒状的冷却装置,所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒沿着竖直方向继续向上移动时能够进入至所述冷却装置限定出的冷却室中进行冷却处理。2.根据权利要求1所述的拉晶炉,其特征在于,所述拉晶炉还包括提拉机构,所述提拉机构被配置成使得所述单晶硅棒沿着竖直方向向上的提拉速度V与所述单晶硅棒轴向方向上的平均温度梯度G的比例参数V/G处于1.1(V/G)临界至1.2(V/G)临界之间;其中(V/G)临界指的是PV区域与PI区域之间边界位置上的V/G值。3.根据权利要求1所述的拉晶炉,其特征在于,所述加热装置用于提供600℃至800℃的热处理温度。4.根据权利要求1所述的拉晶炉,其特征在于,所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒的冷却速率为大于2.7℃/min。5.根据权利要求1所述的拉晶炉,其特征在于,所述拉晶炉还包括水冷套,所述水冷套被配置成使得拉制得到的所述单晶硅棒在1150℃至1020℃之间快速冷却,以使得所述单晶硅棒的冷却速率大于2.7℃/min。6.一种用于拉制单晶硅棒的方法,其特征在于,所述方法包括:将多晶硅原料放置于石英坩埚中并熔化后,下降籽晶以拉制单晶硅棒;所述单晶硅棒沿着竖直方向以设定的提拉速度V向上被提拉并移动至加热装置限定出的热处理室中进行热处理;热处理后的所述单晶硅棒继续沿着竖直方向以设定的提拉速度V向上被提拉并移动至冷却装置限定出的冷却室中进行冷却处理。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述单晶硅棒沿着竖直方向向上的提拉速度V与所述单晶硅棒轴向方向上的平均温度梯度G的比例参数V/G处于1.1(V/G)临界至1.2(V/G)临界之间;其中(V/G)临界指的是PV区域与PI区域之间边界位置上的V/G值。8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述加热装置用于提供600℃至800℃的热处理温度。9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒的冷却速率大于2.7℃/min。10.一种单晶硅棒,其特征在于,所述单晶硅棒由根据权利要求6至9任一项所述的方法拉制得到。2CN114318500A说明书1/6页一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒技术领域[0001]本发明实施例涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒。背景技术[0002]近年来,随着半导体器件制造过程中细微化的发展,对所需要的硅片的要求越来越高,不仅要求硅片表面区域缺陷很少甚至无缺陷,而且要求硅片具有足够的体微缺陷(BulkMicroDefects,BMD),以保护设置电子元件的硅片区域不被重金属杂质污染。而硅片中含有的重金属杂质已然成为影响半导体器件品质的重要因素,因此重金属杂质的含量需要在硅片生产过程中极力减少。目前,已知当在硅片内部形成足够多的BMD时,这些BMD具有捕捉重金属杂质的本征吸杂(IntrinsicGettering,IG)作用,能够极大改善由于重金属杂质导致的半导体器件品质不良的问题。近年来对含有BMD密度等于或大于1×108个/cm3的硅片需求增加,因此在硅片供应至电子元件制造厂时需要在基材硅片中具有足够的BMD核心,从而可以获