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单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置.pdf
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一吃****瀚文
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单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置.pdf
本申请实施例提供了一种单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置。所述方法包括：提供炉体、导气管以及加料器，炉体内装有双坩埚和加热器；将硅料装入双坩埚中，双坩埚包括外坩埚以及设置于外坩埚内的内坩埚；将导气管插入双坩埚中，并将加料器的加料管插入外坩埚；采用加热器加热熔化双坩埚内的硅料，得到硅液；通过导气管向双坩埚内通入反应气体，反应气体至少包括含卤气体，以使含卤气体与双坩埚内的硅液或者硅料中的金属杂质反应；通过所述加料管持续向所述外坩埚加入所述硅料，同时从所述内坩埚的硅液中拉晶，以得到单晶硅棒。本申请实施例中，可以
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本申请实施例提供了一种单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置。所述单晶硅棒拉制方法包括：将硅料装入炉体内的坩埚中；采用加热器加热熔化所述坩埚内的硅料，得到硅液；将导气管插入所述硅液中；通过所述导气管向所述硅液中通入反应气体，所述反应气体至少包括含卤气体，以使所述含卤气体与所述硅液中的金属杂质反应；在所述硅液中执行引晶、放肩、等径操作，以得到单晶硅棒。本申请实施例中，在单晶硅棒拉制的过程中，可以将含卤气体通入硅液内部，以使含卤气体与所述硅液的金属杂质充分反应，提高所述硅液的纯度，从而，可以减少从所述硅液中生长拉
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一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒.pdf
本发明实施例公开了一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒，所述方法包括：将设定质量的多晶硅熔料和第一预设质量的掺杂剂放置于石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，下降籽晶至所述硅熔液液面处并拉制第一预设长度的第一单晶硅棒节；在所述第一单晶硅棒节冷却后将所述第一单晶硅棒节移出拉晶炉，并沿所述第一单晶硅棒节的细颈处剪断以获得剩余的籽晶；下降所述剩余的籽晶至剩余的所述硅熔液液面处，拉制带水平肩部的晶体；提升所述晶体至副炉室冷却后，将第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体的水平肩部处；通过下降所述晶体直至所述晶体完全浸入所述剩
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本发明实施例公开了一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒，所述方法包括：将设定质量的多晶硅熔料和第一预设质量的掺杂剂放置于石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，拉制第一预设长度的第一单晶硅棒节；当所述第一单晶硅棒节收尾时，在所述第一单晶硅棒节的尾部生长出带水平肩部的晶体；提升所述第一单晶硅棒节至副炉室冷却后，将第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体的水平肩部处；通过下降所述第一单晶硅棒节使所述晶体完全浸入剩余的所述硅熔液中并熔化后，拉制第二预设长度的第二单晶硅棒节。
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一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒.pdf
本发明实施例公开了一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒；所述拉晶炉包括：设置在水冷套上方位置且呈圆筒状的加热装置，所述加热装置被配置成使得单晶硅棒沿着竖直方向向上移动时能够进入至所述加热装置限定出的热处理室中进行热处理；设置在所述加热装置上方且呈圆筒状的冷却装置，所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒沿着竖直方向继续向上移动时能够进入至所述冷却装置限定出的冷却室中进行冷却处理。
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