一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113862777A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202111165968.6(22)申请日2021.09.30(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710065陕西省西安市市辖区高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人张婉婉文英熙(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253代理人李斌栋姚勇政(51)Int.Cl.C30B15/04(2006.01)C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)C30B33/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图6页(54)发明名称一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒(57)摘要本发明实施例公开了一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒，所述拉晶炉包括：提拉机构，所述提拉机构构造成利用掺氮硅熔体通过直拉法拉制单晶硅棒；第一热处理器，所述第一热处理器用于在使所述单晶硅棒中的BMD消融的第一热处理温度下对所述单晶硅棒进行热处理；设置在所述第一热处理器上方的第二热处理器，所述第二热处理器用于在促使所述单晶硅棒中形成BMD的第二热处理温度下对所述单晶硅棒进行热处理；其中，所述提拉机构还构造成使所述单晶硅棒沿着拉晶方向移动而处于尾部节段被所述第一热处理器并且头部节段被所述第二热处理器热处理的位置处。CN113862777ACN113862777A权利要求书1/1页1.一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉包括：提拉机构，所述提拉机构构造成利用掺氮硅熔体通过直拉法拉制单晶硅棒；第一热处理器，所述第一热处理器用于在使所述单晶硅棒中的BMD消融的第一热处理温度下对所述单晶硅棒进行热处理；设置在所述第一热处理器上方的第二热处理器，所述第二热处理器用于在促使所述单晶硅棒中形成BMD的第二热处理温度下对所述单晶硅棒进行热处理；其中，所述提拉机构还构造成使所述单晶硅棒沿着拉晶方向移动而处于尾部节段被所述第一热处理器并且头部节段被所述第二热处理器热处理的位置处。2.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述第一热处理温度为950‑1200摄氏度。3.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述第二热处理温度为600‑850摄氏度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括：用于感应所述第一热处理器的热处理温度的第一温度感应器；用于感应所述第二热处理器的热处理温度的第二温度感应器；控制器，所述控制器根据所述第一温度感应器和所述第二温度感应器的感应温度控制所述第一热处理器和所述第二热处理器分别提供不同的热处理温度。5.根据权利要求4所述的拉晶炉，其特征在于，所述第二热处理器包括沿所述拉晶方向排列的第一分段和第二分段，所述第一分段用于提供600‑700摄氏度的热处理温度，所述第二分段用于提供700‑850摄氏度的热处理温度。6.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述提拉机构还构造成使所述单晶硅棒在被热处理的位置处停留2小时。7.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉包括径向尺寸小的上炉室和径向尺寸大的下炉室，所述第一热处理器和所述第二热处理器设置在所述上炉室中，所述下炉室内设有坩埚和用于对所述坩埚进行加热的加热器。8.根据权利要求1至3中的任一项所述的拉晶炉，其特征在于，所述第一热处理器和所述第二热处理器的沿所述拉晶方向的总长度大于等于所述单晶硅棒的长度使得整个所述单晶硅棒能够同时被所述第一热处理器和所述第二热处理器热处理。9.一种用于制造单晶硅棒的方法，其特征在于，所述方法包括：利用掺氮硅熔体通过直拉法拉制单晶硅棒；使所述单晶硅棒沿着拉晶方向移动至经受热处理的位置处；在使所述单晶硅棒中的BMD消融的第一热处理温度下对所述单晶硅棒的尾部节段进行热处理；在促使所述单晶硅棒中形成BMD的第二热处理温度下对所述单晶硅棒的头部节段进行热处理。10.一种单晶硅棒，其特征在于，所述单晶硅棒由根据权利要求9所述的方法制造而成。2CN113862777A说明书1/5页一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒技术领域[0001]本发明涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒。背景技术[0002]众所周知，现代集成电路主要制备在硅片表面5微米以内的近表层。因此，要经过内吸杂或外吸杂等技术，以在硅片的体内或背面引入缺陷区，在近表面引入10‑20微米的无缺陷、无杂质的洁净区。近年来，除了常规的内、外吸杂技术外，还有新型的氧气退火技术、快速热处理技术和掺氮技术被开发和应用。[0003]在上述集成电路中，提供这样的一种硅片是非常有利的：该硅片具有从正面开始向