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一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置.pdf
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本发明提供一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置，包括生长炉、X射线原位成像模块和控制系统，生长炉由外至内包括炉壁、保温毡、板型电阻加热器和坩埚，X射线原位成像模块包括分别设于生长炉的单晶生长的径向方向的相对两侧的X射线源和X射线成像接收器；炉壁于径向方向的两侧具有用于X射线透过的非金属窗口，保温毡、板型电阻加热器和坩埚均由非金属材料制成；控制系统接收X射线成像接收器的成像信号，并控制X射线源和板型电阻加热器工作。该生长装置可满足大尺寸碳化硅PVT单晶生长所需的较小径向温度梯度和必要的轴向温度梯度，并且利用
2023-06-15
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2023-06-02
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2023-06-17
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2023-06-15
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大尺寸碳化硅单晶生长设备及温控方法研究大尺寸碳化硅单晶生长设备及温控方法研究摘要：碳化硅（SiC）是一种新兴的半导体材料，具有优异的特性，在高温、高电压、高频等条件下具有很好的性能表现。碳化硅单晶的生长是制备高性能SiC器件的重要步骤。本文针对大尺寸碳化硅单晶的生长设备及温控方法展开了研究，介绍了一种基于悬臂炉的碳化硅单晶生长设备，并探讨了温控方法的优化方案。通过实验和分析，得出了一种高效、稳定的温控方法，为大尺寸碳化硅单晶生长提供了重要的参考。关键词：碳化硅单晶、生长设备、温控方法、悬臂炉、优化方案1.
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