一种大尺寸碳化硅单晶生长装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115948793A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310105905.4(22)申请日2023.02.13(71)申请人德清州晶新材料科技有限公司地址313200浙江省湖州市德清县武康镇长虹中街333号(72)发明人陈启生陈启书(74)专利代理机构北京金蓄专利代理有限公司11544专利代理师蔡鹤飞(51)Int.Cl.C30B23/00(2006.01)C30B29/36(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图6页(54)发明名称一种大尺寸碳化硅单晶生长装置(57)摘要本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，涉及晶体生长技术领域，包括主体，所述主体的前端设置有加热箱，所述主体的上端设置有第一竖孔，所述加热箱的外部顶端安装有调节机构，所述加热箱的内腔中间设置有埚盖，所述埚盖的下端安装有生长坩埚，所述生长坩埚的外部两侧安装有保温机构，所述生长坩埚的下方设置有空腔，所述空腔的中间安装有升降机构。本发明通过支架安装在加热箱的上端，在使用时，驱动电机，带动顶端的主动轮顺时针转动，从而通过驱动带在带动一侧的从动轮，再由从动轮带动下端的滑杆和竖轴进行转动，从而同步带动下方的生长坩埚进行转动，进而使得坩埚受热均匀，且滑槽则配合升降机构进行调节。CN115948793ACN115948793A权利要求书1/1页1.一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，包括主体(1)，所述主体(1)的前端设置有加热箱(2)，其特征在于：所述主体(1)的上端设置有第一竖孔(3)，所述加热箱(2)的外部顶端安装有调节机构(4)，所述加热箱(2)的内腔中间设置有埚盖(5)，所述埚盖(5)的下端安装有生长坩埚(6)，所述生长坩埚(6)的外部两侧安装有保温机构(7)，所述生长坩埚(6)的下方设置有空腔(8)，所述空腔(8)的中间安装有升降机构(9)，所述保温机构(7)的下端中间设置有第二竖孔(10)；所述调节机构(4)包括支架(41)，所述支架(41)的底端与加热箱(2)的外部顶端固定连接，所述支架(41)的上端设置有电机(42)，所述电机(42)的顶端安装有主动轮(43)，所述主动轮(43)的一侧设置有驱动带(44)，所述驱动带(44)的一侧安装有从动轮(45)，所述从动轮(45)的中间设置有滑杆(46)，所述滑杆(46)的下端安装有竖轴(411)，所述竖轴(411)的内腔设置有滑槽(412)；所述保温机构(7)包括加热筒(71)，所述加热筒(71)的后端与加热箱(2)的内腔两端固定连接，所述加热筒(71)的一侧设置有主加热器(72)，所述主加热器(72)的一侧安装有辅助加热器(73)，所述辅助加热器(73)的一侧设置有保温层(74)。2.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述支架(41)的上端下层与电机(42)的底端固定连接。3.根据权利要求2所述的一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述滑杆(46)的底端通过滑槽(412)与竖轴(411)的内腔活动连接。4.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述加热筒(71)的左端与主加热器(72)的后端固定连接。5.根据权利要求4所述的一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述加热筒(71)的左端外层与保温层(74)的表面固定连接。6.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述升降机构(9)包括动力件(91)，所述动力件(91)的底端与空腔(8)的下端中间固定连接，所述动力件(91)的顶端设置有外筒(92)，所述外筒(92)的内腔设置有驱动仓(93)，所述驱动仓(93)的上端安装有支撑杆(94)，所述驱动仓(93)的下端设置有蜗轮(911)，所述蜗轮(911)的上端两侧安装有内套(912)，所述蜗轮(911)的上端设置有螺母(913)，所述螺母(913)的上端中间安装有丝杠(914)。7.根据权利要求6所述的一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述螺母(913)的内腔中间与丝杠(914)的底端贯穿活动连接，所述螺母(913)的上端两侧与支撑杆(94)的底端固定连接。8.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述加热箱(2)的内腔与生长坩埚(6)的表面活动连接，所述埚盖(5)的下端与生长坩埚(6)的上端活动连接。2CN115948793A说明书1/4页一种大尺寸碳化硅单晶生长装置技术领域[0001]本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种大尺寸碳化硅单晶生长装置。背景技术[0002]碳化硅是第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率和高击穿电场等性质，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，是目前晶体生产技术和