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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114381795A(43)申请公布日2022.04.22(21)申请号202111642121.2(22)申请日2021.12.29(71)申请人宁夏申和新材料科技有限公司地址750000宁夏回族自治区银川市开发区光明西路25号(72)发明人丁亚国李玲玲梁万亮马国忠顾燕滨(74)专利代理机构宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)64105代理人孙彦虎(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉(57)摘要本发明提供一种直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉,属于水冷屏装置的技术领域,包括水冷屏,所述水冷屏的下端设置圆环形护套,所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接,水冷屏上部分为不锈钢结构,而单晶炉内的加热器的加热温度为1450℃,炉腔内的环境温度在1000℃以上,不锈钢的耐高温温度为1000℃,在单晶炉内炉内温度过高容易造成不锈钢水冷屏高温熔断或爆裂,因此采用圆环形护套将水冷屏和圆环形护套固定在石英坩埚上方,避免水冷热屏高温熔断或爆裂,同时通过圆环形护套能够延伸水冷屏的长度,延伸水冷热屏的热折射,有效保证单晶炉内良好的温度梯度。CN114381795ACN114381795A权利要求书1/1页1.一种直拉单晶炉水冷屏装置,其特征在于,包括:水冷屏,所述水冷屏的下端设置圆环形护套,所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接。2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置,其特征在于,所述圆环形护套的材料为石墨。3.根据权利要求2所述的直拉单晶炉水冷屏装置,其特征在于,所述水冷屏还包括石墨螺栓,所述水冷屏的下端通过石墨螺栓与所述圆环形护套连接。4.根据权利要求3所述的直拉单晶炉水冷屏装置,其特征在于,所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。5.根据权利要求4所述的直拉单晶炉水冷屏装置,其特征在于,所述水冷屏为上下开口的筒状,所述水冷屏的开口上大下小。6.根据权利要求5所述的直拉单晶炉水冷屏装置,,其特征在于,所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑,以形成漫反射,提高拉晶速率。7.根据权利要求6所述的直拉单晶炉水冷屏装置,其特征在于,所述凹坑为圆形。8.根据权利要求6所述的直拉单晶炉水冷屏装置,其特征在于,所述凹坑为椭圆形。9.一种单晶炉,包括导流筒,其特征在于,包括如权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置,所述导流筒与单晶炉的内壁连接,所述水冷屏位于所述导流筒的上方,且所述水冷屏的上端与单晶炉的内壁连接,所述导流筒套在所述水冷屏的外壁。2CN114381795A说明书1/3页直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉技术领域[0001]本发明涉及水冷屏装置技术领域,具体涉及一种直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉。背景技术[0002]直拉单晶炉中设置有水冷屏装置,用于单晶炉内制造均匀的热场,为了进一步提高单晶棒的冷却速率,水冷屏的下端距硅溶液的表面越近越好,但是现有技术中,水冷屏的下端距硅溶液的表面的距离不能太近,否则水冷屏容易因膨胀而爆裂。发明内容[0003]有鉴于此,针对上述不足,有必要提出一种防止水冷屏爆裂的直拉单晶炉水冷屏装置。[0004]还有必要提出一种单晶炉。[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种直拉单晶炉水冷屏装置,包括:水冷屏,所述水冷屏的下端设置圆环形护套,所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接。[0006]优选地,所述圆环形护套的材料为石墨。[0007]优选地,所述水冷屏还包括石墨螺栓,所述水冷屏的下端通过石墨螺栓与所述圆环形护套连接。[0008]优选地,所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。[0009]优选地,所述水冷屏为上下开口的筒状,所述水冷屏的开口上大下小。[0010]优选地,所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑,以形成漫反射,提高拉晶速率。[0011]优选地,所述凹坑为圆形。[0012]优选地,所述凹坑为椭圆形。[0013]一种单晶炉,包括导流筒,包括如上所述的直拉单晶炉水冷屏装置,所述导流筒与单晶炉的内壁连接,所述水冷屏位于所述导流筒的上方,且所述水冷屏的上端与单晶炉的内壁连接,所述导流筒套在所述水冷屏的外壁。[0014]与现有技术相比,本发明的有益效果在于:水冷屏上部分为不锈钢结构,而单晶炉内的加热器的加热温度为1450℃,炉腔内的环境温度在1000℃以上,不锈钢的耐高温温度为1000℃,在单晶炉内炉内温度过高容易造成不锈钢水冷屏高温熔断或爆裂,因此采用圆环形护套将水冷屏和圆环形护套固定在石英坩埚上方,避免水冷热屏高温熔断或爆裂,同时通过圆环形护套能够延伸水冷屏的长度,延伸水冷热屏的热折射,有效保证单晶炉内良好的温度梯度,并且现有技术中水