直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114369865A(43)申请公布日2022.04.19(21)申请号202111639257.8(22)申请日2021.12.29(71)申请人宁夏申和新材料科技有限公司地址750000宁夏回族自治区银川市开发区光明西路25号(72)发明人丁亚国李玲玲梁万亮马国忠顾燕滨(74)专利代理机构宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)64105代理人孙彦虎(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉(57)摘要本发明提供一种直拉单晶炉水冷屏装置，属于提高晶棒收率工艺的技术领域，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑20°，当水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑20°时，使得整个热场的温度得到改变，使得晶棒固液界面的中心温度与边缘温度接近，使得晶棒拉出后，晶棒的尾部的截面尽量接近水平，进而晶棒的收率提高。CN114369865ACN114369865A权利要求书1/1页1.一种直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，包括水冷屏，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑20°。2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑10°。3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为25°/2‑35°/2。4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为20°。5.根据权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2。6.根据权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，以形成漫反射，提高拉晶速率。7.根据权利要求6所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述水冷屏为上下开口的筒状，所述水冷屏的开口上大下小。8.根据权利要求7所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述凹坑为圆形。9.根据权利要求8所述的直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。10.一种直拉单晶炉水冷屏装置，其特征在于，包括如权利要求1所述的直拉单晶炉水冷屏装置。2CN114369865A说明书1/4页直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉技术领域[0001]本发明涉及提高晶棒收率工艺技术领域，具体涉及一种直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉。背景技术[0002]直拉单晶炉中设置有水冷屏装置，用于单晶炉内制造均匀的热场，而水冷屏与单晶炉的中轴线夹角不同时，容易导致拉晶过程中，晶棒的尾部容易凹陷或者凸出，导致晶棒的收率不高。发明内容[0003]有鉴于此，针对上述不足，有必要提出一种提高晶棒收率的直拉单晶炉水冷屏装置。[0004]还有必要提出一种单晶炉。[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种直拉单晶炉水冷屏装置，包括水冷屏，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑20°。[0006]优选地，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑10°。[0007]优选地，所述水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为25°/2‑35°/2。[0008]优选地，所述水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为20°。[0009]优选地，所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2。[0010]优选地，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，以形成漫反射，提高拉晶速率。[0011]优选地，所述水冷屏为上下开口的筒状，所述水冷屏的开口上大下小。[0012]优选地，所述凹坑为圆形。[0013]优选地，所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。[0014]一种单晶炉，包括如上所述的直拉单晶炉水冷屏装置。[0015]与现有技术相比，本发明的有益效果在于：当水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑20°时，使得整个热场的温度得到改变，使得晶棒固液界面的中心温度与边缘温度接近，使得晶棒拉出后，晶棒的尾部的截面尽量接近水平，进而晶棒的收率提高。附图说明[0016]图1为单晶炉的剖视图。[0017]图2为水冷屏的结构示意图。[0018]图中：导流筒100、水冷屏200、凹坑210、圆环形护套220、固定杆230。3CN114369865A说明书2/4页具体实施方式[0019]以下结合本发明的附图，对本发明实施例的技术方案以及技术效果做进一步的详细阐述。[0020]请参看图1至图2，一种直拉单晶炉水冷屏装置，包括水冷屏200，所述水冷屏200与单晶炉的中轴线夹角a为15°/2‑20°。[0021]与现有技术相比，本发明的有益效果在于：当水冷屏