一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺.pdf
白真****ng
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一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺.pdf
本发明涉及一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺,属于太阳能电池技术领域。本发明可以将太阳能电池片扩散后的方阻由125‑130/sq,提升至140‑150Ω/sq,具体结果根据使用的扩散炉会有所不同,开压提升2毫伏,效率提升0.1%以上。可匹配选择性发射极(SE)+碱抛,实现规模化量产。
一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺.pdf
本发明公开了一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺,属于太阳能电池片生产设备技术领域,一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺,包括将单晶硅电池片置入快速平衡高温加热炉内,开启快速平衡高温加热炉,将炉体内温度升高至700‑800℃并快速达到温度平衡状态,通入含有POC13的氮气和氧气,进行扩散等步骤,可以实现将单晶硅电池片的扩散和扩散后处理氧化工艺同时在快速平衡高温加热炉内进行,快速平衡高温加热炉内设置的多个温度调节机构和导热机构可以快速加工炉体内的温度调节至平衡状态,保证炉体内部各个不问温度均
匹配SE的太阳能电池扩散方法.pdf
本发明涉及一种匹配SE的太阳能电池扩散方法,属于太阳能电池生产技术领域。包括:预沉积;一次沉积;一次氧化;二次沉积;二次氧化;推进;降温;三次氧化;三次沉积;四次氧化;四次沉积;通氧。通过设置四个沉积步骤,使得扩散反应更加充分,减少反应残留物。通过升温沉积,可以在沉积过程激活活性P,提高电池片效率。另外,通过多步少量的多次氧化,使反应更加彻底,增加了氧化层厚度,可以有效减少SE激光对表面绒面的损伤,同时减少了后续沉积对硅基底表面浓度的影响,在保证SE激光后可以得到良好欧姆接触的同时,减少表面浓度,提高少子
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单晶硅电池片工艺(初稿)工艺流程图:硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库1.单晶硅片质量检验标准1.1外观检验1.1.1基片大小:125×125mm±0.5mm1.1.2形状:准方片1.1.3直径:∮150±1.0mmΦ165±1.0mm1.1.4厚度:280±30μm;在所规定区域内5个测量值的平均值。1.1.5
一种单晶硅电池片返工工艺.pdf
本发明实施例是关于一种单晶硅电池片的返工工艺。该工艺包括以下步骤:用盐酸和氢氟酸的混合溶液同时去除电池片正背面的铝浆、氧化膜和氮化硅膜;用硝酸溶液去除残留的银浆;用硝酸和氢氟酸混合液去除所述电池片硅片表面的杂质。本发明提高了返工电池片的EL良率,缩减了电池片的返工步骤,降低了单晶硅电池片在返工时的破片率。