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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111508829A(43)申请公布日2020.08.07(21)申请号202010344852.8(22)申请日2020.04.27(71)申请人徐州谷阳新能源科技有限公司地址221300江苏省徐州市邳州市高新技术产业开发区滨湖大道南(72)发明人王奎(74)专利代理机构南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙)32326代理人朱磊(51)Int.Cl.H01L21/225(2006.01)H01L31/18(2006.01)H01L31/068(2012.01)权利要求书2页说明书3页(54)发明名称一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺(57)摘要本发明涉及一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺,属于太阳能电池技术领域。本发明可以将太阳能电池片扩散后的方阻由125-130/sq,提升至140-150Ω/sq,具体结果根据使用的扩散炉会有所不同,开压提升2毫伏,效率提升0.1%以上。可匹配选择性发射极(SE)+碱抛,实现规模化量产。CN111508829ACN111508829A权利要求书1/2页1.一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺,包括以下步骤:第一步、将待扩散的硅片置于扩散炉中,升温至775-795℃;第二步、待温度稳定后,将炉内各温区的温度升至790-795℃,同时通入475-525sccm大N2,855-945sccmO2和475-525sccm的小N2,时间为285-315s;第三步、继续将炉内各温区的温度控制在790-805℃,同时通入475-525sccm大N2,617-683sccmO2和665-735sccm携带POCl3的小N2,时间为171-189s;第四步、待温度稳定后,将炉内各温区的温度升至800-815℃,通入475-525scc大N2,617-683sccmO2和665-735sccm携带POCl3的小N2,时间为171-189s;第五步、继续将炉内各温区的温度升至870-885℃,同时通入1330-1470sccm大N2和475-525sccm的小N2,时间为456-504s;第六步、待温度稳定后,将炉内各温区的稳定至870-885℃,同时通入1805-1995sccm大N2,时间为570-630s;第七步、将炉内各温区的温度降至810-815℃,同时通入1330-1470sccm大N2和475-525sccm的小N2,时间为798-882s;第八步、继续将炉内各温区的温度控制在810-815℃,同时通入380-420sccm大N2,665-735sccmO2和665-735sccm携带POCl3的小N2,时间为171-189s;第九步、将炉内各温区的温度降至780-795℃,同时通入1330-1470sccm大N2和475-525sccm的小N2,时间为342-378s;第十步、继续将炉内各温区的温度控制在780-795℃,同时通入475-525sccm大N2,475-525sccmO2和1140-1260sccm携带POCl3的小N2,时间为456-504s;第十一步、将炉内各温区的温度降至780℃,同时通入950-1050sccm大N2,2375-2625sccm的O2,时间为171-189s;第十二步、继续降温,回压,取出硅片。2.根据权利要求1所述能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺,其特征在于:第一步、将待扩散的硅片置于扩散炉中,升温至790℃;第二步、待温度稳定后,将炉内各温区的温度升至790-795℃,同时通入500sccm大N2,900sccmO2和500sccm的小N2,时间为300s;第三步、继续将炉内各温区的温度控制在790-805℃,同时通入500sccm大N2,650sccmO2和700sccm携带POCl3的小N2,时间为180s;第四步、待温度稳定后,将炉内各温区的温度升至800-815℃,通入500sccm大N2,650sccmO2和700sccm携带POCl3的小N2,时间为180s;第五步、继续将炉内各温区的温度升至870-885℃,同时通入1400sccm大N2和500sccm的小N2,时间为480s;第六步、待温度稳定后,将炉内各温区的稳定至870-885℃,同时通入1900sccm大N2,时间为600s;第七步、将炉内各温区的温度降至810-815℃,同时通入1400sccm大N2和500sccm的小N2,时间为840s;第八步、继续将炉内各温区的温度控制在810-815℃,同时通入400sccm大N2,700sccmO2和700sccm携带POCl3的小N2,时间为180s;2CN111508829A权利要求书2/2页第九步、将炉