一种缩短三扩散片扩散时间的工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109755115A(43)申请公布日2019.05.14(21)申请号201711057816.8(22)申请日2017.11.01(71)申请人天津环鑫科技发展有限公司地址300380天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层(72)发明人黄志焕李亚哲徐长坡陈澄梁效峰杨玉聪王晓捧(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.H01L21/223(2006.01)H01L21/324(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图1页(54)发明名称一种缩短三扩散片扩散时间的工艺(57)摘要本发明提供一种缩短三扩散片扩散时间的工艺，包括以下步骤：将清洗后的扩散片放置于预扩散用的容器内并进行摆片，将清洗后的扩散片进入预扩散炉中进行预扩散，将预扩散完成后的扩散片进入主扩散炉中进行主扩散，对主扩散完成后的扩散片进行主扩散后处理，对完成主扩散后处理的扩散片在预扩散炉内进行二次预扩散，对完成二次预扩散的扩散片在主扩散炉内进行二次主扩散，对二次主扩散完成后的扩散片进行出炉测试。本发明的有益效果是对扩散片进行两次预扩散和主扩散，可以大幅度的缩短扩散片的扩散时间，使得扩散片的主扩时间由原来的130～150h,缩短为70～90h，提高了扩散效率。CN109755115ACN109755115A权利要求书1/2页1.一种缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：主要包括以下步骤，s1：将清洗后的扩散片进入预扩散炉中进行预扩散；s2：将预扩散完成后的扩散片进入主扩散炉中进行主扩散；s3：对主扩散完成后的扩散片进行主扩散后处理；s4：对完成主扩散后处理的扩散片在所述预扩散炉内进行二次预扩散；s5：对完成二次预扩散的扩散片在所述主扩散炉内进行二次主扩散。2.根据权利要求1所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述步骤s1与所述步骤s2之间还包括预扩散后处理和主扩散前叠片，所述步骤s4与所述步骤s5之间还包括二次预扩散后处理和二次主扩散前叠片。3.根据权利要求1或2所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述步骤s1对所述扩散片进行预扩散为进行三氯氧磷预扩散，具体包括以下步骤：s10：确认三氯氧磷的温度；s11：确认预扩散炉的待机温度及预扩散的工艺曲线；s12：在所述预扩散炉内进行预扩散。4.根据权利要求3所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述预扩散工艺曲线包括以下步骤：s110：所述预扩散炉的温度由900-1000℃升至1100-1300℃，升温时间为30-60min；s111：恒温通入氧气和氮气，恒温时间为5-20min；s112：恒温通入氧气、大氮和小氮，恒温时间为110-150min；s113：恒温通入氧气和氮气，恒温时间为25-45min；s114：所述预扩散炉温度由1100-1300℃降至900-1000℃，降温时间为100-130min，同时通入氧气和氮气。5.根据权利要求1-4任一项所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述步骤s2中的主扩散包括以下步骤：s20：确认所述主扩散炉待机温度为400-600℃，同时通入氧气；s21：将经过预扩散后处理的扩散片置于所述主扩散炉中，按照主扩散曲线进行主扩散；s22：主扩散完成后进行出炉冷却。6.根据权利要求5所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述步骤s21中的主扩散曲线包括以下步骤：s210：所述主扩散炉温度由400-600℃升至1200-1400℃，升温时间为5-8h；s211：所述主扩散炉保持温度为1200-1400℃，恒温时间为40-50h；s212：所述主扩散炉温度降至400-600℃，降温时间为2-5h。7.根据权利要求6所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述预扩散后处理包括以下步骤：将预扩散后的扩散片置于预扩散后处理容器内并置于酸溶液中浸泡，浸泡时间为5-10min，浸泡完成后进行冲水甩干。8.根据权利要求7所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述主扩散前叠片主要包括以下步骤：将预扩散后处理后的扩散片撒上硅粉并放置于主扩散容器内。9.根据权利要求8所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述二次预扩散2CN109755115A权利要求书2/2页包括所述步骤s1和所述预扩散后处理，所述二次主扩散包括依次进行所述主扩散前叠片和所述步骤s2，所述步骤s2中的恒温时间为30-40h。10.根据权利要求1所述的缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：所述步骤s5之后还进行出炉测试和二次主扩散后处理，所述二次主扩散后处理与所述步骤s3相同。3CN109755115A说明书1/8页一