一种氮化镓衬底生长热场装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114775044A(43)申请公布日2022.07.22(21)申请号202210510272.0C30B29/40(2006.01)(22)申请日2022.05.11C23C16/48(2006.01)C23C16/52(2006.01)(71)申请人华厦半导体（深圳）有限公司地址518117广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社区龙岗大道(坪地段)1001号通产丽星科技产业园厂房七402(72)发明人谈逊刘才谈谦吴曦曾龙辉李欣王占玲刘宁波(74)专利代理机构合肥市都耒知识产权代理事务所(普通合伙)34227专利代理师邱丹(51)Int.Cl.C30B25/00(2006.01)C30B30/00(2006.01)C30B28/14(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种氮化镓衬底生长热场装置(57)摘要本发明涉及加热装置技术领域，且公开了一种氮化镓衬底生长热场装置，包括加热盘和炉体，所述加热盘的底部铺设有加热圈，且加热盘与加热圈均位于炉体的内部；所述加热盘的上方设有若干个可变换的激光反射台和激光器；所述激光器位于加热盘和激光反射台的正上方。本发明提出一种氮化镓衬底生长热场装置，本发明对上表面和下表面同时进行加热，同时提高加热区域的均匀性和精准性。CN114775044ACN114775044A权利要求书1/1页1.一种氮化镓衬底生长热场装置，包括加热盘(1)和炉体(11)，其特征在于：所述加热盘(1)的底部铺设有加热圈(2)，且加热盘(1)与加热圈(2)均位于炉体(1)的内部；所述加热盘(1)的上方设有若干个可变换的激光反射台(3)和激光器(4)；所述激光器(4)位于加热盘(1)和激光反射台(3)的正上方。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，所述炉体(11)的一侧通过连接板(5)连接有限位板(6)，所述限位板(6)上滑动套接有套板(7)，所述连接板(5)与套板(7)之间通过高度调节机构连接，所述套板(7)上固定安装有驱动电机(8)，所述驱动电机(8)驱动轴上固定连接有若干个连接杆(9)，且若干个连接杆(9)分别与若干个激光反射台(3)连接。3.根据权利要求2所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，所述高度调节机构包括固定安装在连接板(5)上的多级液压缸(10)，且多级液压缸(10)驱动杆通过直角连接片与套板(7)固定连接。4.根据权利要求1所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，所述加热圈(2)的数量为多个，且加热圈(2)均匀分布在加热盘(1)的底部。5.根据权利要求4所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，多个所述加热圈(2)由加热盘(1)底部外周向内其直径值依次减小。6.根据权利要求1或2或5所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，所述加热盘(1)为石墨加热盘。7.根据权利要求4或5所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，多个所述加热圈(2)分别对应连接多个控制器。8.根据权利要求1或2所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，多个所述激光反射台(3)的大小均不相同。9.根据权利要求1所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，所述加热盘(1)的底部固定安装有支撑架。10.根据权利要求1所述的一种氮化镓衬底生长热场装置，其特征在于，所述连接杆(9)上固定安装有红外线测温模块(12)。2CN114775044A说明书1/3页一种氮化镓衬底生长热场装置技术领域[0001]本发明涉及加热装置领域，尤其涉及一种氮化镓衬底生长热场装置。背景技术[0002]在半导体材料制备或加工工艺场合时，需要对材料进行环形区域加热，温度控制至关重要，直接关系到材料生长质量。[0003]在半导体材料制备尤其是衬底材料生长时，需要对衬底区域的温度进行精准控制，但现有加热方式仅能对整体进行加热，加热的均匀性以及精确性控制不能满足要求。[0004]为解决上述问题，本申请中提出一种氮化镓衬底生长热场装置。发明内容[0005](一)发明目的[0006]为解决背景技术中存在的技术问题，本发明提出一种氮化镓衬底生长热场装置，本发明对上表面和下表面同时进行加热，同时提高加热区域的均匀性和精准性。[0007](二)技术方案[0008]为解决上述问题，本发明提供了一种氮化镓衬底生长热场装置，包括加热盘和炉体，所述加热盘的底部铺设有加热圈，且加热盘与加热圈均位于炉体的内部；[0009]所述加热盘的上方设有若干个可变换的激光反射台和激光器；[0010]所述激光器位于加热盘和激光反射台的正上方。[0011]优选的，所述炉体的一侧通过连接板连接有限位板，所述限位板上滑动套接有套板，所述连接板与套板之间通过高度调节机构连接，