氮化镓装置场板系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115911043A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211127680.4(22)申请日2022.09.16(30)优先权数据17/491,2592021.09.30US(71)申请人德州仪器公司地址美国德克萨斯州(72)发明人李东燮J·乔C·S·徐(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师林斯凯(51)Int.Cl.H01L27/088(2006.01)H01L29/40(2006.01)H01L29/20(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图11页(54)发明名称氮化镓装置场板系统(57)摘要本文中描述的一个实例包含集成电路IC，其包含氮化镓(GaN)晶体管装置(100)。所述IC包含界定有源区的GaN有源层(102)及布置于所述有源区的表面上的栅极结构(108)。所述IC还包含布置于所述栅极结构(108)的第一侧上的源极(104)及布置于所述栅极结构(108)的第二侧上的漏极(106)。所述IC进一步包含导电地耦合到所述源极(104)的至少一个源极场板结构(110)及耦合到所述源极(104)的栅极层级场板结构(112)。CN115911043ACN115911043A权利要求书1/2页1.一种具有氮化镓(GaN)晶体管装置的集成电路IC，其包括：GaN有源层，其界定有源区；栅极结构，其布置于所述有源区的表面上；源极，其布置于所述栅极结构的第一侧上；漏极，其布置于与所述第一侧相对的所述栅极结构的第二侧上；至少一个源极场板结构，其导电地耦合到所述源极；以及栅极层级场板结构，其耦合到所述源极。2.根据权利要求1所述的IC，其中所述栅极层级场板结构通过导电通路通过所述至少一个源极场板结构中的一者耦合到所述源极。3.根据权利要求2所述的IC，其中所述导电通路在所述有源区中延伸于所述至少一个源极场板结构中的相应者与所述栅极层级场板结构之间。4.根据权利要求2所述的IC，其中所述导电通路在所述有源区外延伸于所述至少一个源极场板结构中的所述相应者与所述栅极层级场板结构之间。5.根据权利要求4所述的IC，其中所述导电通路布置在所述GaN晶体管装置外部。6.根据权利要求1所述的IC，其中所述有源区包括：第一部分，其包括所述导电通路；及第二部分，在所述第二部分中没有所述导电通路；其中所述栅极结构包括所述有源区的所述第二部分中的金属接触件，且其中在所述有源区的所述第一部分中没有所述金属接触件以容纳所述导电通路。7.根据权利要求1所述的IC，其中所述栅极层级场板结构由与形成所述源极及所述漏极到所述GaN有源层的接触件相同的金属形成。8.根据权利要求1所述的IC，其中所述栅极层级场板结构包括：第一栅极层级场板结构，其耦合到所述源极；及第二栅极层级场板结构，其耦合到所述源极。9.根据权利要求8所述的IC，其中所述第一栅极层级场板结构由与形成所述源极及所述漏极到所述GaN有源层的接触件相同的金属形成，其中所述第二栅极层级场板结构由与和所述栅极结构相关联的金属接触件相同的金属形成。10.根据权利要求1所述的IC，其中所述有源区包括：第一部分，其包括将所述栅极层级场板结构导电地耦合到所述源极的导电延伸部；及第二部分，在所述第二部分中没有所述导电延伸部；其中所述栅极结构包括所述有源区的所述第二部分中的金属接触件，且其中在所述有源区的所述第一部分中没有所述金属接触件以容纳所述导电延伸部。11.一种用于制造具有氮化镓(GaN)晶体管装置的集成电路的方法，所述方法包括：在衬底之上沉积GaN有源层；在所述GaN有源层之上沉积电介质材料；在所述GaN有源层上形成源极；在所述GaN有源层上形成漏极；在所述GaN有源层之上在所述源极与漏极之间形成栅极结构；在所述电介质材料上形成栅极层级场板结构；2CN115911043A权利要求书2/2页形成从所述栅极层级场板结构延伸的导电通路；以及形成导电地耦合到所述源极的至少一个源极场板结构，所述导电通路从所述栅极层级场板结构延伸到所述至少一个源极场板结构。12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述导电通路包括将所述导电通路形成为在由其上沉积所述GaN有源层的区域界定的有源区中延伸于所述栅极层级场板结构与所述至少一个源极场板结构中的所述相应者之间。13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述导电通路包括将所述导电通路形成为在由其上沉积所述GaN有源层的区域界定的有源区外延伸于所述栅极层级场板结构与所述至少一个源极场板结构中的所述相应者之间。14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述导电通路包括将所述导电通路形成为在由其上沉积所述GaN有源层的区域界定的有源区的第一部分中但不在所述有源区的第二部分中